HL-1M装置内壁锂涂覆实验.pdfVIP

HL一1 M装置内壁锂涂覆实验’ 王明旭张年满王志文’『=恩耀严东海崔成河粱雁 J 0(141) i梭j：、!k西南物理研究院，四jII成都6 一一在探索迂台车装置的氍处理拙1、 摘 要：HL一1M装置_i：三{j,HJJfB]， 分刹研冗了础化、硅化利锂凉覆技术。；lj，砒化已成为装苴的常规掣处理技 术．蚀涂覆技术j丕在探索中。车文详纰小；“了HL-1M裴置锂化技术的避腰、 迎化敲果和锉化后的内鼙状态以及目酊耻化技术的不足u 关键诲： 钽潍覆技术杂质杂质辐射壁状态 I．日I言 … L)是匣F哆数最9的金属元辜，兵{i苷-r，占兹柏化宁活|!，垃最鸹希望R：J凳‘#材料r TFTR装置经过蚀化焉提高r等离于{#存％目：丽、甲心离子湍鹰和密度的峰化U殷聚变反 声述查l一一表Ⅱj_；了原忙铿化的巨人的优越|芏冬Z洋镏介纠j’HL—IM装置锂化技。；帕进展、 锉化效果弃¨锂化后的内毕状态以及目前锉化扳术虼ji足。 2．实验安排 }{L．jM装置艰处理以原付‘：化为土， HI。．1M装苜锂化实验的直精干n置示恚㈧哇·q j’忙辅助沉拱投术即也蒸发锶柏一司B，违{ 阿爿逆。i恿fi，馊f￡0j何宽探讨。距化足栗_’．，P He辉迸救咀，将锂蕉一气电离弥散矗，在器-?囊明彤成艘涂层n 坩锅 b,lo丝 陶宦管组件 夏掉片 屏岳毫 Ⅲ2钝莲笈秣结杜J，J、乜㈣ 蒯l HL．1M装置脉位计化雀验童排小患斟 mm mn1·绕亿5根审2 锉燕发器的增锚川纯铁铣制而成．图其外叫日。J伽缝加热，锅丝伍骨力0．5 8Ni9Ti不锈制婪所肌【k：州!)埘锅温度由镍馅康铜热c也鸺洲嚣，加热 n：j陶瓷管上．外面川ICrl ，U游茕I温度洲甘l也泺通过娲离变压嚣’J电网峨离 扯l女蝙0 止JEd搏_}11饺zJ学“仓舞蛳 319 在宜装蒸发嚣之前，将纯铁坩锚崩砂纸玎瞎以X-酴表菌氧化生锈层．用无水乙薛清洗，电吹风 畋千：将蒜发器安装在鹾i力传送器上，抽真空并与裟置接通：将蒸发器加热到约600C充分击气； 然后装弹．装锂过程是在专门制作的手套箱帚j流动的高纯氨气保护下进行的．以避免锂与空气中舶 水蒸汽帚{氮气发生反应． 在锉化前，先进行O5—1小时的He辉光放电清洗，最丈程度降低器壁表面上相比和碳、氧 He辉光等离子体使锂蒸汽电离，在电场作朋 抽质。然后将铿加热剑400-500’C．使锂蒸发．利Hj Pa，p=10—12 }将锂蕉汽弥散，在真空室内壁上形成锂馀层．锂化参数为：PH。=5×10。2 pA／era’- V--400～500V。HL．IM装置锂化中，在锂蒸发器位置左右各约80—900范囝内为锂化特征颜色一一 鲜红色．丧明了这种锂化技术形成的涂层的不均匀