IBS在多元HgCdTe器件制备工艺中的应用.pdfVIP

IBS在多元HgCdTe器件制各工艺中的应用 式庆乏 f垡二E光电萎代昕充所) 决方，主。 边看光电f卢业的迅廷置旺#I光‘毡子技术对哥螯韭器件要求的不断提高。传统工艺中 的化学：显法劐蚀正氆逐步歧衙叫干，圭刘蚀所取代。IBS 不断蔑醍轺完善的，它不·旦提高丁微：求级孙正强j长圾器州：寞勺【：艺质晕平ff生上数量t同时还 克服丁湿法到蚀，ffJ等离子淳刻蚀所遗成的吾向岗生的跃量。 一、离子源的结构及工作原理 多孔栅网鬯子轰衍式离子源堪美国国家亨航，苟盎太兰三应用领域作为E船的离子采发动 体流量和能÷i输入的离子源系统产生出最大的离子束流能增)得到了不断的提高，并且研 制出一系列应弼予不商的上艺礴料离子泉流性能优蔑的离子源，同时可选用的气体种类也 大大的扩大丁。 离子源的蓦奉结枷 ￡L0 ●’。’’‘’‘。‘‘。”。’。’。。‘。’。’’。’。。‘。‘—‘。+‘————一 警 1A疑S三T 离子源一般妓安装在一!艺谍ff条件i可难持，0 热灯丝c≯黑目1 部分E乜离从而澎i茂’；离子；#￡：鬯：也晤v。，挝供电：’能：?童t1 磁场．以改变热电子运动的轨迹使之不能直接射入阳极，而是要经过多次碰撞以达到充分 与工质气体产生作用的目的，目{；{『所采用的多极式磁场结构已取代了以往的轴向和螺旋式 l占8 遗场结陶，显善遗改善t不均匀离j：进入加速毋网的斌点。 为了使整“放电应体成为一7j笠弦离子≮韵2笠射源．在阳投鞠三皂二二间加入电源V。。。 盎洪了为放电楚体内的等离子体j兰。j掘这的砸暖电墨，从而使放电鹭体内的等离子体也具 导了嗣洋柏高鼍势能【通常阳}受鬯匿V。。。圭500V玎可满足离j翼每霉想的能量500eVi 以确谋了离开善离子体区域和进，＼地面的离子足育较高的阳极势齄，为了形成平}亍输出豹 离子柬，在离子源的～瑞装有精密_：D工帕带育：t多小ji的取层四髓，蔫一层拐网为拜幂习． 蒂育阴设电势以减小离子对其捉面昀碰·童，南一：甚翊翮为硼速网，羹育段小的负电位值通 常为阡{饭电势的十分之一)以形啦强电场．可抽出善离子体区域点韵离子并对萁加速，同 时也可形成电芏区以阻lE来自离子柬区域的电子返画等离子体区域。这样就形成丁r=艺土 使用的离子求， 由于形成的离子柬电流峦度攻高l通常育儿个mA，，cm：，据肖予儿倍的10”iotaS；cm： s)，因此必须用几乎同样密度的电子求流对其进j7甲翱．在离子震中：9tIA．一热电子发射：：j 丝，为之提供电压V。，放射山的电子与离子求中自I：}不是电子与离子的单独中和而是～面 大量的掺杂中手【l。 二、离子柬系统 英国Oxford公司是一家生一离子嫩系统较为成熟的公司之一、其定腿产品Microfab-． 200和lonttab300／a,00／500系列在我国研制：担导体的科研部f】已得到丁r泛的应瑚， 本文对英国Oxford公司生4：{可离子求系统作以简要的介绍： Oxford公司的离子柬系统I：艺自动控制示意幽如}’所示： 际习 一：．‘垒l盘兰 l：三莹了三；=这三 ；i鼍柚酚函万升一 ㈠L厦 最囊ii赴电“ ：—趣。面 ?齐；畏配蔓毛匡三ia一一 ≈i；§j一==i一●一一 ：一．、一曩参二-i一-7．-’最 一一Lii：_jt’乏；i：妥 ——t划；毒{幸采c j，真空系统： Oxford公司的系统对所有奇i耋动的；￡空密二j鄙粟；H嫩流体罾封面且洋品的传动采用了 内翌式转动，[艺腔体肉丧百畏