M-IDG的两种时域建模方法的比较.pdfVIP

M—IDG的两种时城建模方法的比较 张琰高本庆李镇 (北京理工大学电子工程系50教研室100081) 要 微带加载的插入介质波导(M—IDG)是～种新型的准TEM传输线，在毫米波器件及 绂上有良好的应用前景。本文采用一种薄带建模的方法对M—IDG建模，并根据该模型用FDTD 分析计算了其基本特性，并与【2】中简化建模的计舅结果进行了比较，二二者具有一致性·验证 用这种薄带模型分析M．IDG的可行性。 时域 薄带模型 建模比较 安键词 微带加我的插入介质波导(M-IDG) 一．概述 插入介质波导(IDG)是近年来提出的一种新型的传输线。它是由介质填充在接地平面的凹 普中构成的。微带加载的插入介质波导(M-IDG)是在IDG的介质基片上毂上金属带线t如图 (1)所示【6】。M．IDG是～种准TEM传输线，其特殊的结构使它能很好的束缚电磁波，有效抑 }4泄漏模和表面波[5】。我们知道，传统的毫米波传输线如镜像线、鳍线等，加工难度随频率的 升高而愈加固难，赞用也大大增加【6】。而M—IDG的结构简单，加工相对容易，加之宽频特性， 丑而具有良好的应用前景。 由于上述优电的性能，M．IDG近年来逐渐受到关注。但分析它的文章采用的都是频域的方 嗟[51【6]。笔者认为M．IDG的结构及特性用时域法更据优越性t并曾在【2】中用FDTD法对它进 J厅了建模和基本特性的计算。但模型中认为金属带线是理≈l导体．且没有考盘导体的厚度t采 羽的是简化的建模方法。本文采用了一种}l对薄带的建模方法。该方法全面考虑金艋带线的电 参数与物理尺寸，使模型更为精细。 图(1)部分填充M-IDG横截面图 圈(2)M-IDG的时域模型 (a) 横截面示图 (b) 纵剖面示图 二．两种建模方法 1．简化模型的介绍 如图(2)所示，这种模型已经在【2j作过论述，这里只做一些说明。该模型对金属带线的构 建没有考虑带线厚度d，并认为它是理想导体．即将金属带线所在网格的切向(x，Y方向)电 场斌为0。介质基片与空气的交界面的介电常数取二苔的平均值。 2薄带模型的建立 ·， 我们知道．为保证数值汁算的稳定性，FDTD法要求时问步的选取应满足： (1) △f-min(k．v，妙。。，垃。。)／2c 其中止mm，缈min,血。。分别是三个袖向的网格单元尺寸。由上式可知·在分析计算细薄 1 40 结}句时，为确保在较长的时问j一稳定计算，网格尺寸就要取得非常小然而M—IDG中的金属带 线，其厚度通常仪为几个微米．在工作频沿内与趋J扶深皮相比拟。如果按j{{l这丰芊的尺寸划分刚 格，是必占用大量的CPU时l口J和内存空问，实际操作起来也很不现实。这里所指的薄带校型的 基本一墨想就是存不减小列洛尺寸的情况下，将带线的只i度．以及电导亨引入FDTD的差分式中， 通过改变其系数褥以交现。以下是』{体的导出过程。 。垃 图(3)…个阿格的场分抽 图(4)介质分层处示意图 MaxⅥell的积分方程为： 拇挑珏(。务幽墙卜(1) 拉妣*等．凼 ㈨ 对于划分的一个嘲格，如l引(3)，E)’与闭合矩形路径上的Hx， Hz正交。因为Ax．△二很 小·可假定在矩形路径中点处磁场分毋值苫于该边上场{j．【的一F均值：又假定在矩形中心点的电 场分殳等于该面积上场值的平均值。于是针对阁(3)，(1)式可写为差分形式。 ～m