PIN型辐射探测器的并联使用.pdfVIP

维普资讯 第 27卷 第5期 核电子学与探测技术 VoL27 No．5 2007年 9月 NuclearElectronics＆DetectionTechnology sep． 2007 PIN型辐射探测器的并联使用 施伟红 ，陈鸿飞 ，邹 鸿 ，邹积清 ， 田大宇 ，宁宝俊 ，张 录 (1．北京大学地球与空间科学学院空间物理与应用技术研究所 ；2．北京大学微电子所 ，北京 100871) 擒要：由于高能电子的穿透能力较强，需要采用较厚的探测器进行探测。在中巴合作资源卫星上 的星内粒子探测器，以往采用的是锂漂移型探测器。由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点，我 们在新一代仪器上采用了离子注入型PIN探测器。但是，PNI探测器厚度有限，因而采用并联方法。本 文就PNI探测器的并联应用进行实验和分析，证明其可行性。 关键词：空间高能电子探测半导体探测器 锂漂移探测器 PIN探测器 中圈分类号： TL814，P353．4 文献标识码：A 文章编号： 0258-0934(2007)05-0908-03 中巴合作资源卫星 (简称 1)是进行国 线、X射线、y射线等空间环境探测领域中得到 土资源勘察，地球环境研究的探测卫星。该卫 广泛应用。空间探测中常用的半导体探测器分 星上安装有 SEM卫星空间环境监测分系统， 为面垒型、离子漂移型和离子注入型。 星内粒子探测器是SEM 卫星环境监测分系统 锂漂移探测器是利用P型半导体，将锂从 的重要组成部分。ZY_1上的星内粒子探测器 它的一面扩散进去，锂在半导体体中具有低的 目前由6个通道组成，电子分两个能档，质子分 电离能(在硅中是0．03电子伏，在锗中是0．O1 4个能档。其中电子两个能档分别为，El：电子 电子伏)，它的一个价电子在室温下全部贡献到 低能档 (O．5～ 2．0MeV)和 E2：电子高能档 导带内，起施主(N型)杂质的作用，它与原来P (≥2．0MeV)。为了达到探测高能电子的要 型杂质硼离子形成稳定的B-Li离子对从而达 求，必须拥有符合要求的探测器。 到补偿的目的。用硅和锗都可以制作锂漂移探 自从美国的Mckey发现半导体能探测射 测器，分别叫做硅锂探测器和锗锂探测器。 线，到六十年代初半导体开始用于空间带电粒 锂漂移探测器的灵敏层厚度可以做的较 子的测量，经过几十年的努力，半导体探测技术 大，适合用于高能粒子和 X射线、y射线的测 得到了极大的发展。半导体探测器具有能谱分 量。但是锂漂移探测器也有它的缺点，稳定性 辨率高、时间分辨率好、结构简单、体积小、重量 不够，分辨率不够高，噪声较大，容易出故障。 轻、易于加工等特点，特别适合于空间辐射探测 针对锂漂移探测器的问题，在新的资源卫星上， 研究，在磁层粒子、太阳宇宙射线、银河宇宙射 我们采用了新型的离子注入PIN探测器。 离子注入型探测器是利用离子注入掺杂法 收稿 日期：2006-08-14 构成P-I-N结。这种方法制造的探测器对环境 基金项目：北京市教委共建项 目XK100010404资助 和真空都很稳定，并且可以得到极薄的窗。北 作者简介：施伟红(1969一)，男，计算机专业工学学 京大学微电子研究所通过几年来的研究，采用 士，项 目管理硕士，目前在北京大学地球物理系工 先进的半导体微机械工艺，研制出离子注入型 作，主要从事空间探测研究。 探测器[1]。在制造时采用快速退火技术，使探 908