GaN基蓝、白光LED老化特性.pdfVIP

第八届全国LEI〕产业研讨与学术会议论文集 GaN基蓝、白光LED的老化特性 刘学彦卜赵成久 ‘侯风勤 ‘蒋大呜动 中德振e.6范希武e,6 (中国科学院胜发态物理开放实脸宜)a (中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,130022)b 摘要:本文研究对比了CraN基相同芯片制备的蓝光和白光LED的老化特性，同时也研究时比了从q和Sic衬底(;aN 基蓝光LED的老化特性。CraN基相同芯片的蓝光LED和白光LED的光衰相差不是很明显，这说明荧光粉本舟的光衰明显 比蓝光芯片的光衰小得多，研究发现台湾生产的从q衬底蓝光LED的寿命比SiC衬底蓝光LED的寿命短徉多，我们分析 其原因主要是由于A120,衬底蓝光LED芯片的结构导致了在GaN缓冲层中的电流密度过大造成的。 一、引言 1994年，NichiaChemicalCompany的S.Nakamura首先报道了亮度超过led的InGaN蓝光LED,1995 年，S.Nakamura又率先报道了亮度超过10cd的InGaN绿光LED[21，效率为早期蓝光LEI〕的100倍，这些 技术突破使得LED成为三基色完备的发光体系，他们突破了传统LED的结构，采用不导电的蓝宝石 (A12q)作为衬底材料，在蓝宝石衬底上利用MOCVI〕方法外延GaN缓冲层，在GaN缓冲层上，分别生长n 一型和p-型AlGaN，形成p-n结，Hewlett-PackardandPanasonic也报道了类似结构的蓝光LED器件。美 国Cree公司利用他们在sic衬底材料上的优势，研究开发出以sic为衬底的GaN基蓝光LEI)芯片，这种蓝 光LEI〕芯片与传统的LED芯片的结构基本类似。本文研究对比了GaN基相同芯片制备的蓝光和白光 I,ED的老化特性，同时也研究对比了Aleq和Sic衬底GaN基蓝光LED的老化特性。 二、实验 本文采用台湾生产的A1203衬底GaN基蓝光LED芯片制备的蓝光和白光LED，采用美国生产的Sic 衬底的GaN基蓝光LED芯片制备的蓝光和白光LED。老化实验条件为:连续24小时不间断工作超过 1000小时，工作电流为20mA，采用5只相同的发光二极管同时进行测试，所给出的结果为5只发光二极管 结果的平均值。采用浙江大学生产的GCD一99LED测试仪进行测试。 个 叱之、响一 :， n J ︵ 目 ︵ 目 刁 感 巴 扮 0 扮 闷 ~ . 一 弓 | 节 ‘ 0 侣 ， 1 0 月 上 。 0 200 400 600 800 200 400 600 800 Time(hour) Time(hour) 图1.A1203衬底蓝、白光LED老化特性 图2.SiC衬底蓝、白光LED老化特性 一O一蓝光LED，一口一白光LED 一O一蓝光LED，一]一(I光LED (国际光电显示技术》LED专刊 第八届全国LED产业研讨与学术会议论文集 三、结果与分析 台湾生产的A12马衬