Sn含量对低温制备In2O3∶Sn薄膜性能影响.pdfVIP

薄膜硅太阳电池及材料．433． Sn含量对低温制备ln203：Sn薄膜性能的影响 李林娜‘，薛俊明，孙建，耿新华，赵颖 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所；南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室；南开大学光电信息技术科学教 育部重点实验室，天津300071) 摘要 氧化铟锡(Indium—TinOxide，ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性，通常当作透明电极， 被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究采用电阻加热反应蒸发的方法，在衬底温度为140。(2下制备 ITO薄膜，研究了薄膜中sn含量对薄膜光电性能的影响。研究发现，随着sn含量的增加，薄膜在可见光范 围内的平均透过率呈下降趋势；随Sn含量的增加，电离杂质对载流子的散射作用增强，使薄膜的电阻率随之 m，载流子浓度和迁移率可分别达到 增大。实验中制备的In203薄膜，透过率良好，电阻率可达6．72x10。4Q·c 1．28x1020cm3和43．2 cm2vos～，与同系列样品中In203：Sn薄膜相比，性能略显优异。 关键词 ITO薄膜；Sn含量；电阻率 1．前 言 率[1，2】，并具有优良的导电性，在太阳能电池、无机和有机薄膜电致发光器件、液晶显示器、激光器二极管及 紫外光探测器等光电器件领域有广泛的应用【3】。ITO膜既可作为透明nip型硅基薄膜太阳电池前电极，又具有 减反射膜的双重作用，其厚度、导电性和透射性直接影响电池的光电转化效率；ITO膜还可与金属Ag或舢 背电极结合作为pin型硅基薄膜太阳电池的复合背反射电极起到增反膜的作用。考虑到ITO膜器件的制备是在 电池制备后沉积，要尽量避免高温工艺和对衬底的损伤，故本研究采用无离子轰击的电阻加热反应蒸发法，在 低温下制备性能良好的ITO膜。 2．实验方法 X 验中衬底温度控制在140℃，本底真空为1．0 wt％ wt％、1wt％、2wt％、4 流量计控制氧流量，保持氧分压恒定。蒸发源采用纯度为99．999％，Sn含量分别为0 和8wt％的铟锡合金，用钼舟加热反应蒸发。实验过程中用MDC．360C膜厚监控仪精确控制薄膜的生长速率 和厚度。沉积速率为0．1．Usec。 制成的薄膜用GTP．S型椭偏仪测量折射率和厚度，膜的透过率用分光光度计进行测量，方块电阻、载流 子浓度和迁移率用霍尔测试系统进行测量。用DMAX2500／PCX射线衍射仪进行XRD测试。 ’作者信息：李林娜女南开大学信息技术科学学院博士生E-mail：Ilnnankai@yeah．net 基金项目：本文得到天津市科技发展计划项目(06YFGZGX02100)的支持．在此表示感谢。 ．434． 第十届中国太阳能光伏会议论文集 3．结果及分析 3．1Sn含量对薄膜微观结构的影响 图1给出了不同sn含量时制备薄膜的x射线衍射图谱。在薄膜沉积过程中保持工艺条件不变，Sn含量 的晶面间距与sn含量的关系。随着Sn含量的增加，晶面间距减小。由于Sn的原子半径比In原子小，证明 Sn原子是以替代形式进入In203晶格中。 6000 4000 2000 2 0 6000 —cc．b 0 4OO0 8