BaTiO3基多层陶瓷电容器抗还原介质材料地研究进展.pdfVIP

中国l传统)陶瓷科技发展大会暨中国硅酸盐学会陶瓷分会2007学术年会论文集 BaTi03基多层陶瓷电容器抗还原介质材料的研究进展 齐晓敏 滕元成 陈垄 孙致平 (西南科技大学先进建筑材料四川省重点实验室，绵阳：621010) 摘要 多层陶瓷电容器(MLCC)是一类重要的片式元器件，内电极的贱金属化已成为其产品开发的主流。MLCC内电极贱金属化的 关键技术是获得抗还原性能优异的瓷料，能够与贱金属镍电极实现共烧的BaTiO。基抗还原瓷料的研究是目前MLCC研究的热 点。本文综述了BaTiOs基抗还原介质材料的抗还原机理、制备方法及研究进展。 关键词钛酸钡，多层陶瓷电容器，贱金属内电极，抗还原陶瓷介质 以钛酸钡为基础的铁电陶瓷是使用最多的陶瓷介质 1引言 材料。而常规BaTiO。瓷料在还原性气氛中烧结时易 产生高温失氧而变成半导体，丧失绝缘性能，因此，研 Ceramic 制适应还原性气氛烧结的抗还原BaTiOs基陶瓷介质 Capacitors) 多层陶瓷电容器(Multilayer 又称片式独石电容器，主要适用于片式化表面组装， 材料是Ni内电极MLCC开发的关键[61。 可大大提高电路组装密度，缩小整机体积。这一突出 2 特性使MLCC成为当前世界上用量最大、发展最陕 BaTiO，基陶瓷介质抗还原机理 的一种片式化元件IX]，占整个陶瓷电容器市场的50％ 以上翻。MLCC技术发展的总体趋势表现在小型化、2．1理论基础 多层化、内电极贱金属化等方面嘲。目前，在实验室条 件下，日本村田公司已研发出介质层厚度lpm层数 B矿处于立方体的顶点上，02。处于立方体的六个面 多达1000层的超微、超大容量的片式Ⅻwc【4l。 心，组成氧八面体，Ti“处于氧八面体中心，周围有6 随着电容器介质材料层数的不断增加，内电极的 个泸，配位数为卵。 面积也将不断的增加。在MLCC的生产中，贵金属内 传统的BaTiOs基介质陶瓷材料在还原气氛下烧 电极Pd占总成本的比例高达35％倜。要想在市场上结时，其性能恶化的根本原因在于：BaTiOs品格中的 具有竞争力，用贱金属Ni电极取代贵金属Pd电极是氧容易逸出而在品格内部留下大量的氧空位缺陷，瓷 —个很好的选择。在制作MLCC的过程中，内电极采体内产生氧离子缺位，该结构为施主结构，电离时产 用Ni电极时，由于Ni金属与陶瓷在高温空气中烧结生施主态正电中心和电子，电离出的自由电子容易被 时Ni电极将被氧化进而扩散到陶瓷介质中，因此，以 TP俘获成为T产，从而使BaTiOs半导化嘲。 Ni作为内电极的MLCC共烧技术必须采用还原性 1 ●● Oo§}O+Vo+2e (1一1) 气氛，以保证MLCC良好的介电性能。在MLCC中， ● 2．2抗还原机理 中国(传统)陶瓷科技发展大会暨中国硅酸盐学会陶瓷分会2007学术年会论文集 ●钡离子 缺陷化学反应式如下： ●钛离子 nM2-1(( 3++Nb5+一(Mn，_◆(Mn，Nb)m 1-2)) ：