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二oo六年全国光电技术学术交流蝴论文集(F)
LBIC技术研究InGaAs线列探测器串音及光敏感区
吕衍秋L2，乔辉1，韩冰1，一，唐恒敬1t一，吴小利L2，李雪1，龚海梅1
(1．中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海200083；
2．中国科学院研究生院，北京100039)
测器间的串音和光敏感区．用分子束外延0vinE)方法生长掺杂InGaAs的PIN
，试结果表明，1．nGaAs线列探测器相邻探测器问没有串音，虽然台面结构周围吸收层已被腐蚀，但因为少数载
敏感区的有效面积，对线列和面阵InGaAs焦平面的研究和设计有重要的意义．
关键词：LBIC技术；InGaAs；探测器； 串音；光敏感区
中图分类号lTN21 文献标识码：A
oncrosstalkand areaofInGaAslinear
Study photoactive
detectorLBIC
by technique
LV Hal．meil
Huil，HAN Heng-jingL2，WUXiao-li比，LIXuel，GONG
Yah．qiuL2，Q队O Bin912,TANG
LaboratoriesofTransducer InstituteofTechnical of
(1．State Technology,ShanghaiPhysics，ChineseSciences。Shanghai200083．China；
Key Academy
oftheChirlcSC of
2．GraduateSchool 100039。China)
AcademySciences．Bcijing
in laserbeaminduced
Abstract：Thetheoreticalconsiderationsthe arediscussedin
current(LBIC)technique
detail．Thecrosstalkand areaof mesaInGaAsdetectorswerestudiedLBIC
photoactiveneighbor bV
havemade256×1front-illuminated
on PⅨInMnGaAs／b_Pmaterials。we mesa
doped．InGaAsMBE-grown epitaxial
InOaAsdetector afterthetechnicsofmesa-making，sulfidation
arrays treatment，passavitionbyZnS／polyimide
measurementarenocrosstalkbetween mesaInGaAs
double ofelectrode．From results，there n
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