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,r十五屠全国化合物半导r体、徽渡量I件和光电器件学术会议 广州’08
P045
长波InAso.04Sbo.96材料的结构及p-n结特性研究
高玉竹1,龚秀英1,方维政2
(1同济人学电子与信息工程学院,上海201804)
(2中国科学院上海技术物理研究所,上海200083)
不同生长条件对lnAs004Sbo96外延层结晶质量的影响。结果表明,外延层的结晶质量与牛长时的降温过程以及生长舟滑块的重量
密切相关。采用60克重的滑块和0.50C/分的降温速度获得了最佳的结晶质量。用傅里叶红外光谱仪测量了外延层的透射光谱,
首次观察到藿量不同的滑块下生长的lnAso.04Sbo96外延层的截If:波长的变化,这归冈于不同滑块引起的外延层能带弯曲参数的变
化。用液相外延(LPE)法在InAso04sb0
曲线显示出了结的整流性质,从而为制作长波InAsSb红外探测器打下了基础。
关键词:熔体外延,InAsSb,结构性质,透射,禁带宽度,p-n结
中图分类号:0612.5 文章标识码: 文章编号
+国家自然科学基金资助项目(批准号
for
ACharacteristicofStructureand Junction
Study P--n
InAso.04Sbo.96
Long-wavelength
YuzhuGao 1,Weizheng
1,XiuyingGong Fan92
Institute ShanBeiYi
Zhong Road,Shanghai200083,China)
2.ShanghaiofTechnicalPhysics,ChineseAcademyofSciences,420
of11-12is studied
Abstract:Thestructural formelt InAso cutoffwavelengthsp.m usingX—ray
property epitaxialgrown 04Sb096with
influenceof onthe isstudied.The
different conditionsInAs004Sbo.96crystallinequality
diffraction(XRD)measurements.Thegrowth
thatthe of tothe rateandthe ofthemeltholder.The
resultsshowed crystalline is related weight
qualityepilayersstrongly cooling
best are 60 a rateof0.50C/rain.The
with
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