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掺硅非晶碳结构和光学性质的研究
Thestudyofstructureandopticalpropertiesinsilicon-dopedamorphouscarbon
秦苗苗 刘晓晨 张庆峰 刘世民
亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室[燕山大学],秦皇岛066004
摘要:目前,将非晶碳薄膜作为光学薄膜的实验研究逐渐增多,并取得了良好的预期效果,但很少有从原子尺度进行研
究。本文采用基于密度泛函理论的分子动力学方法,对密度为2.0g/cm3,2.9g/cm3碳结构进行了建模并掺杂,得到的非晶
网络结构从径向分布函数上与实验符合的很好。研究表明,少量的Si掺杂没有引起大的结构改变;Si原子的局域态密度在费
米能级处未形成掺杂态,但带隙变宽,这是由于Si的掺杂使sp2杂化量相对减少。另外,对于密度为2.0g/cm3的非晶碳,在
紫外-可见光-近红外范围内,掺杂少量Si的透过率高于未掺杂的透过率;密度2.9g/cm3的四面体非晶碳,在可见光到近红
外波段内,掺杂Si的透过率先高于后低于未掺杂的透过率。
关键词:非晶碳;Si掺杂;电子态密度;光学性质
Abstract:fornow,therearefewstudiesabouttheamorphouscarbonfilmasopticalthinfilmfromatomicscale,eventhroughits
experimentalstudyincreasegraduallyandexpectantresultisreached.Presentthemoleculardynamicmethodbasedondensity
functionaltheoryarecarriedouttostudythemodelingandsiliconincorporationinamorphouscarbonwithdifferentdensityof2.0g/
cm3and2.9g/cm3,thesimulatedamorphousnetworkstructureontheradialdistributionfunctionisingoodagreementwiththe
expermentaldata.Wefindthatlowsilicondopingdidntinducelargelystructuralchange;thereisnosilicondopingstatesnearFermi
level,butthebandgapbecamewider,thisduetosp2hybridizedcarbonatomsrelativelydecreaseassilicondopingin.foradensity
of2.0g/cm3ofamorphouscarbon,thetransmittancewithlowsiliconcontentishigherthanthatwithoutsiliconincorporationin
theultraviolet-visible-nearinfraredrange;thetransmittancewiththedopedsiliconfirsthigher,thenlowerthanthatnotdopedfor
densityof2.9g/cm3tetrahedralamorphouscarboninvisibleandnearinfraredband.
Keywords:amorphouscarbon;siliconincorporation;theelectronicdensityofstates;opticalproperties
函理论的分子动力学方法.对密度2.09/cm3和模,我们首先对掺杂量为3.2at%.密度2.99/
2.99/cm3的碳结构建模,并进行结构和性能的研
究.分析硅的掺杂形态及硅掺杂后对非晶碳的结 算发现t卜c:si中.驴碳原子的含量为81.25%,
构和光学性能的影响. 这与未掺杂前的sp3碳原子的含量56.25%相比.
有明显的差异.表明了低含量的Si掺杂影响sp3杂
2计算方法 化量.而sp3含量的变化影响结构的力学性能.
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