Ba源配比对MOCVD法制备YBCO薄膜性能影响研究.pdfVIP

2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件 响研究 赵睿鹏+熊杰刘鑫张飞赵晓辉陶伯万 (电子科技大学，微电子与固体电子学院，成都610054) 摘要：金属有机物化学气相沉积(MoCvD)法制备氧化物薄膜具有沉积速率快，外延薄膜均匀性好等优点。 膜，研究混合源中Ba含量对YBCO超导薄膜成分、结构及电流承载能力的影响。结果表明，当Ba含量较小 晶粒尺寸随Ba含量的增加而逐渐增大。杂质相的含量、尺寸以及与YBCO的晶格匹配程度对YBCO薄膜的双 轴取向生长和电流承载能力具有重要影响。当原料摩尔配比Ba／Y=3．9时。成功制备出了具有优异面内面外取 于第二代超导带材的发展具有重要意义。 关键词：MOCVD，YBCO，高温超导，临界电流密度 卡E-mai l：zhaoruipengl990@sina．com电话 1 引言 流承载能力强等优点，在能源、电力、国防装备等众多领域显示出了优越的应用前景和商业价值【JJ。电 约薄膜性质，因此控制Ba含量是获得高质量YBCO薄膜的关键因素之一。本文采用单一液相混合源 成分、结构及临界电流密度的影响． 2 实验方法 种有机金属源进行实验。Ba离子因为尺寸较大，在tmhd配体的螯合作用保护下，仍会发生团聚或与空 气的C02、水等进行配位，从而使其挥发变得困难，闪蒸效果变差。本论文中我们采用相同的Cu、Y源 定为3．9。 273 2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件 氧，在450℃左右保温30min，保温结束后自然降至室温。 采用bedeD1多功能x射线衍射仪对YBCO薄膜的外延特性进行表征，采用扫描电子显微镜(SEM， 薄膜的临界电流密度(Jc)采用德国Leipzig大学研制的工一scanLeipzig无损测试系统进行测试。 3实验结果分析及讨论 图谱，所有样品均为c轴取向生长且结晶质量好。但是从Ba／Y源配比大于3．9开始，图谱中出现了Ba，CuO， 的衍射峰，并且衍射峰的强度随着Ba含量的增加而显著增加，说明过量的Ba与Cu发生反应，在YBCO 进行外延牛长。 图1不同BaJY源配比的YBCO薄膜0．20扫描图谱 由于YBCO的超导性为各向异性，为获得具有良好超导性能，需要薄膜具有良好的结晶质量及双轴 内取向程度。图2和图3分别为不同Ba含量的YBCO薄膜面外面内取向扫描曲线半高宽的变化情况。 ÷I=j Ba含量进一步增大时，Aco和△≯又逐渐增大，说明薄膜的面外面内取向逐渐变差。这是因为“贫” 的品格失配较大，这些杂质相的产生导致YBCO薄膜内部形成缺陷和应力，使得YBCO薄膜的外延生 长受到影响，面外面内取向变差。随着Ba含量的增加，当Ba／Y=3．9时，达到最佳的配比，此时薄膜中 几乎没有杂相峰的存在，薄膜具有最佳的面内面外取向，这与扫．2臼扫描图谱结果一致。而随着Ba含量 的进一步增加，薄膜中生成越来越多的Ba2Cu03杂相，晶格失配的不断累积使得YBCO薄膜内部的缺陷 和应力逐渐增加，导致YBCO薄膜面内面外取向变差． 274 2013年全国博上生学术论坛一电子薄膜与集成器件 图2 图3 图4为不同Ba源配比的YBCO薄膜表面SEM图片，不同Ba含量的薄膜表面形成的岛状晶粒成分、 大小、形状及分布情况存在显著的差异。当Ba源配比较低时，如图4(a)，图中凸起物尺寸较小，分布较 的形式分布在YBCO薄膜表面。随着源配比中Ba含量的增加，如图(b)和(c)，薄膜表面凸起物颗粒尺寸 增大，经过EDS成分测试主要是Ba、Cu、O三种元素。这主要是因为随着Ba含量的增加，过量的Ba 薄膜表面形成的Ba：Cu03晶粒有逐渐增大的趋势，当Ba／Y=4．2时，晶粒尺、j‘达到3lzm左右． 275 J二薄膜‘j集成器件 2013年全国博1：t-学术沦坛一IIi 超导}U学性能，