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1.1.2 N型半导体 1.1.3 P 型半导体 1.2 半导体二极管 1.2.1 PN结及其单向导电性 2. PN结的单向导电性 (2). PN 结加反向电压（反向偏置） 1.2 半导体二极管 1.2.2 二极管的基本结构 1.2.3 二极管的伏安特性 1.2.4 二极管的主要参数 二极管电路分析举例 1.2.5 稳压二极管 3. 主要参数 1.3 晶体管 1.3.1 晶体管的基本结构 1. 3. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 1.3.3 晶体管的特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 1.3.4 晶体管的主要参数 1. 电流放大系数，? 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICE0 结论： 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，发射区才可向基区发射电子；而集电结必须反向偏置，集电区才可收集从发射区发射过来的电子。 下图给出了起放大作用时 NPN 型和 PNP 型晶体管中电流实际方向和发射结与集电结的实际极性。 + UBE ? IC IE IB C T E B ? ? ? ? + UCE ? NPN 型晶体管 + UBE ? IB IE IC C T E B ? ? ? ? + UCE ? PNP 型晶体管 1.3.3 特性曲线 1. 输入特性曲线 对于 NPN 型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于 PNP 型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 输入特性曲线是指当集 —射极电压UCE为常数时，输入电路(基极电路)中，基极电流 IB 与基—射极电压 UBE 之间的关系曲线 I B = f (UBE)。 O 0.4 0.8 IB / ?A UBE / V UCE ≥ 1V 60 40 20 80 3DG100 晶体管的输入特性也有一段死区，只有在发射结外加电压大于死区电压时，才会产生 IB。 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流 IB 为常数时，输出电路(集电极电路)中集电极电流 IC 与集—射极电压 UCE 之间的关系曲线 IC = f (UCE)。在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。 晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲组分为三个工作区 (1) 放大区 输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区， 。放大区也称为线性区，因为 IC 和 IB 成正比的关系。对 NPN 型管而言，应使 UBE 0，UBC 0，此时，UCE UBE。 IC EC=UCC IB RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 共发射极电路 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 2.3 1.5 放 大 区 饱和区 截止区 (2) 截止区 IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。IB = 0 时, IC = ICEO(很小)。对 NPN 型硅管，当UBE 0.5 V 时，即已开始截止，但为了使晶体管可靠截止，常使 UBE ? 0，截止时集电结也处于反向偏置(UBC 0)，此时, IC ? 0 ，UCE ? UCC 。 (3) 饱和区 当 UCE UBE 时， 集电结处于正向偏置(UBC 0)，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，IC 和 IB 不成正比。此时，发射结也处于正向偏置，UCE ? 0 ， IC ? UCC/RC 。 IC / mA UCE /V 100 μA 80 μA 60 μA