低频第4章(4.2).pptVIP

* 第四章 场效应管及基本放大电路 第一节 MOS场效应管的特点 与双极型晶体管相比，MOS场效应管具有以下主要特点： （1）MOS场效应管是一种电压控制器件；iD受uGS的控制。 （2）MOS场效应管是单极型器件，温度稳定性好，抗辐射能力强。 （3）输入电阻极高，一般高达1010?~1012?。 （4）MOS场效应管所占芯片面积小、功耗很小，且制造工艺简单，因此便于集成。 （5）因MOS场效应管既有N沟道和P沟道器件之分，又有增强型和耗尽型之别，所以它们对偏压极性有不同要求，这一点与双极型器件是不完全相同的。 双极型和场效应型三极管的比较 双极型和场效应型三极管的比较(续) 2.高频等效电路： FET高频微变等效电路（ dUBS=0） Ugs G S gm Ugs 1/gds D S Ugs Id Cds Cgs 2.连接方法（组态）： FET高频微变等效电路（ dUBS=0） Ui + - Uo + - S G D Ui + - Uo - S G D + Ui + - Uo + - S G D （a）共源放大电路 （b）共漏放大电路 （c）共栅放大电路 第二节 MOS场效应管的基本放大电路 一.低频交流小信号模型： Ugs + - gm Ugs 1/gds + - Ugs + Id 简化的低频小信号模型（ dU