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有机无氰镀银体系及添加剂作用机理研究
壁、璺臣,向统勘谢步高,捌建军
福蚋大学化学他I学麓.福建,镐:_l_,3500,12 cdHcn
E-mail:彬unaj=u
金属化是半导体芯片制造中r个非常重耍的工艺过程。在这个过程甲,芯片内岢一的一些元件和结
构单元,通过金属布线束连接集成在起,而过些是金属市线在芯片上曲一象彖微内造中沉积得到
的.目前王要的金属布线是由铜姐氍妁:与{嗣均比,锯具有爱好的导电-陛能,随着计算机技术发展
的需要,韫必将成为新一代的布线台属。
以镀银体系溶剂种粪可将其舟为胄机(非水)糖银雄茉,水体导及两相或笋柏体系,目前对徽沟道
镀银的研究主要集中在承体系.如已有报道越蒋化钽钾作为王盏,以硒氰汜钾作为健进刑在芯片懒
沟遁内超等厚沉积银“。由于檄沟道的宽度正往几十^‘纳米万向发展,而由有机镀银体系可以获并
比水体系小的多的钽粒子硅,旧雨罩用有机镀银体系也可能是德均道镀银的一个发展方向+在己有
anBI
的x献拇适中.但有hI air有提到采用氟化银为主盐,N,N二甲基甲酰胺(DMF)为滓荆的有机
镀银体系。1 然而其并未给出详细的研究内舂.
车研宽正是以氯化银为主盐,硫瓤为络台别NH二甲墓甲酰胺为藩荆的有机镀银体系为研究对
象,考察其本身的基本性质并研究喜种瘁加剂在其中的作用。蜜验发现DMF镀银体系可以迅速的置换
出铜层.并且获得光亮的讯层.熟而由电镀譬验却并千能获得光亮银层,而是得到表面覆盖一层白
色物质,内层光亮的镀层仅在加^半胱瞎酸才能获得光亮银层.
由阴极极化曲线可眦霜出,加入芈觥蒋酸对雌兼并没有促进戎抑制作用,半胱胺酶的作用应该是
暧附在电极袁面,使得银络和高子里均匀的沉积在电顿表面.由竞流阻抗实验也可证明半胱胺鳆青
吸附在电板表面。
围l是铜片在DMF镀银体系进行电镀窭验后的得到镀层曲扫描电镜围。实验采用999%铜片在经由打
磨,酸冼,洗洁精浸泡,二次东冲沈后,在DMF镀银体系以06V(参比电极为钷电极直接浸入溶液中,
对电极为银片电极J电镀200s.由圈可看出所获得的银粒子簇直径在4onm左右。
一
圈IDMF镀银体系平面电镀表面银层扫描电镜圉
withDMFas
1 TheSEMofsuflicesilver for insliver bath solvent
Fig layerplanplating plating
参考文献
『1 PMoft-ata arIdSolid—State
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(Collegeo,Chem&Chem
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