微晶铝在F-及F-与Cl-共同作用下的电化学行为研究.pdfVIP

微晶铝在F-及F。和Cl。共同作用下的电化学行为研究 张波李瑛王福会 中国科学院金属研究所，腐蚀与防护国家重点实验室，沈阳110016 摘要 在NaF溶液中的研究结果表明，微晶化使铝在NaF溶液中形成的钝化膜的稳定性变差。对两种材料来说，F有 着双重作用，一方面增大F的浓度能促进钝化膜的形成，同时也使得钝化膜更易发生点蚀。当溶液本体中的F的浓度能使铝 的阳极行为呈现活化．钝化行为时(加．03mol／L)，此时微晶铝的钝化膜为n型半导体膜，而粗晶铝的为p型半导体膜，微晶化 使得铝在NaF溶液体系中的半导体类型发生逆转。 在cl’和F。共同存在的溶液中的研究结果表明，C1．和F。相互竞争作用来影响微晶铝的钝化膜的半导体类型，当cl。的 浓度小于F的浓度时，F’的作用占主导，钝化膜为n型半导体膜；当CI的浓度和F的浓度相当或大于F。的浓度时，Cr的 影响占主导，从而使半导体类型发生逆转，表现为P型。 关键词：微晶铝，溅射，点蚀，半导体性质，cr，F 1前言 铝及其合金的应用非常普遍，而铝的点蚀问题一直是人们最关心的，在实际环境中，侵蚀性阴离子Cl- 离子是最普遍存在的，所以对铝及其合金在含C1．的溶液体系中的点蚀行为已研究得非常系统[1．13]。和Cl‘属 同一主族的有F‘，Br和I。，他们同样是具有侵蚀性的阴离子，但是对铝及其合金在含有这些离子的体系中 的电化学行为的研究还很有限，只有少量的文献报道。有人提出【14，15】，侵蚀性阴离子要引发点蚀，首先 必须先穿过金属表面的氧化膜，故带有钝化膜的金属的耐点蚀能力应该是随着侵蚀性阴离子半径的增加而 增强，即侵蚀性阴离子的侵蚀性随离子半径的增加而减弱。Hoar等人[161的研究表明，铝在含有Cl。，Br和 蚀击破电位，发现在含CI溶液中的点蚀点位最低，而在含F’溶液中最高，可见，F。和同族的其他离子相比 溶液中的基本相同，但在含F。溶液中的情况却明显不同。基于此，本文首先选取了NaF溶液作为研究体系， 一方面可以进一步研究传统的粗晶铝材料在该体系中的电化学行为，另一方面通过对比微晶铝和粗晶铝的 实验结果，还可以探寻出微晶化对铝在含F-体系中的电化学行为有何影响。另外，前期的工作表明，对于 微晶铝来说，C1。对其氧化膜的半导体性质有着特殊的影响，所以本文还选取了NaF+NaCl溶液体系对微晶 铝的钝化膜的半导体性质进行研究。 2实验方法 微晶铝样品的制备采用磁控溅射的方法(SBH5115D型平面磁控溅射仪)。基体为石英玻璃，溅射前 用丙酮超声清洗，蒸馏水冲洗，吹干。溅射用的靶材和铸态铝样均采自同一铝锭，纯度为99．9％。溅射参 数如下：功率P=1200W，氩气压为0．25Pa，基体温度为100℃，溅射时间为4h。溅射前靶材预溅10min 电化学测试体系为中性的NaF及NaF+NaCl溶液，实验温度用水浴恒定在30：1=2℃。 电化学测试所用的装置为传统的三电极体系，参比电极为Ag／AgCl电极，辅助电极为Pt电极。极化 曲线的测试只进行了阳极区的测试，从开路电位向阳极方向进行电位扫描，扫描速度为0．33mV／s，所用仪 器AUTOLAB电化学工作站。 3结果与讨论 38 以看到有气泡附着其上，此时发生的是氧化膜的溶解。随后EocP缓慢正移，大约20分钟后达稳定值．1．35V， 量极化曲线时，待样品浸入溶液后立即开始，此时得到的极化曲线为裸金属铝在NaF溶液中的电化学行为。 》 、～ g 嗣 O 5∞lO∞15002伽哪25∞30∞3500 t／矗 图1微晶铝在0．2咐I／LflaF溶液中的开路电位E嘶随时间t的变化。 IE4tE41E-7IE4暑{1E-‘1Ed乱州0．1 l／A／era2 图2微晶铝和粗晶铝在不同浓度的NaF