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硅中的氮氧复合物及其施主行为.pdf
第 34 卷第 6 期 浙 江 大 学 学 报 (工学版) V o l. 34 №. 6
2000 年 11 月 Jou rn a l o f Zh ej ian g U n iver sity (Eng ineer ing Science) N ov. 2000
文章编号: 1008973 (2000)
X
硅中的氮氧复合物及其施主行为
张锦心, 刘培东, 李立本
(浙江大学 硅材料科学国家重点实验室; 浙江半导体技术有限责任公司, 浙江 杭州 3 10027)
摘 要: 含氮CZ 硅的电学性能完全有别于含氮的FZ 硅和无氮的CZ 硅 研究表明, 含氮CZ 硅能形成一
种与氮有关的新施主, 它随氮氧复合物的形成而形成, 随氮氧复合物的消失而消失 文章进一步研究了
氮新施主的形成和消除与热处理条件的关系, 并对这些实验结果进行了探讨
关键词: 氮氧复合物; 氮新施主; CZ 硅
中图分类号: TN 304. 0 文献标识码: A
硅中的氧在 300～ 500 ℃的热历史中会产生热施主(TD ) , 它引起材料的电阻率的漂移, 氩气
氛直拉硅一般在 650 ℃下, 20 m in 以上的热处理就能将热施主去除, 但氮保护气氛下生长的直拉
[ 1 ]
硅由于氮的引入, 材料的电学性能发生了很大的改变, 杨德仁 等人发现 650 ℃下, 电阻率稳定化
处理后的含氮 硅( ) , 在随后的 800 ℃以上的热处理时, 型样品电阻率上升, 型样品电
CZ N CZSi N P
[2 ]
阻率下降, 杨德仁等人把它归于N CZSi 中热受主的形成 张溪文等人 则认为N CZSi 中会产生一
种热施主,N 型样品电阻率上升, P 型样品电阻率下降与这种热施主的消失有关
( )
硅中的氮主要以氮对的形式存在, 只有少量的氮 小于 1% 以代位氮的形式出现, 因此, 氮是
V A 中唯一没有浅施主特性的元素, F ZSi 中的氮几乎无电活性 为弄清CZ 硅中氮的电活性的来源
及其本质, 以及形成和消除情况, 本文对此进行了较为详尽的探讨
1 实验方法与结果
1. 1 微氮硅的电学性能
( ) ( )
实验选用同一台单晶炉 860 , 采用相同拉晶工艺制备含氮 硅 和无氮 硅
D CZ N CZSi CZ
( ) , 整个过程采用氩气保护, 则采用氩气化料, 氮气拉晶, 因而硅中引入微量的
A CZSi A CZSi N CZSi
氮 实验采用四探针电阻率测试仪测量样品的电阻率, 载流子浓度的换算依据采用A STM
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