聚酰亚胺牺牲层工艺微机械加工技术研究.pdfVIP

3．微米／纳米加工技术 中国微米纳米技术学会第十一届学术年会 聚酰亚胺牺牲层工艺的微机械加工技术研究 潘程，于晓梅‘，马盛林 (北京大学微电子学研究院，微米纳米加工技术国家级重点实验室，北京100871) 摘要：牺牲层工艺是通过腐蚀或刻蚀牺牲层来制造悬空的梁、膜或空腔结构的技 术，广泛应用于MEMS器件与其读出电路的单片集成。可以作为牺牲层的材料主 要包括SiN、Si02和聚酰亚胺，表1为可能的牺牲层与结构层的组合【1】。其中聚 酰亚胺材料(PI)由于可以室温成膜，制备工艺简单、成本低，且与常用结构材 料有很好的选择比，常被选择作为与Post．COMS兼容的牺牲层材料。本文研究了 以聚酰亚胺作为牺牲层制各双材料悬臂梁器件的加工过程，并对聚酰亚胺薄膜的 制备方法、化学稳定性、图形化、释放技术进行了研究。 本文采用HD微系统公司的P12610聚酰胺酸溶液来制备聚酰亚胺薄膜，为了 减少气泡获得良好旋涂薄膜，本文首先对聚酰亚胺的旋涂方法进行了大量实验， 制备过程中使用静态滴液旋涂的方法，试验得到薄膜厚度与目标转速的关系(图 1)，在5000rmp的条件下，固化后的PI薄膜厚度为1．1btm。 针对可能在微加工中遇到的化学试剂，本文试验了各种化学试剂对图形化和 未做图形化的聚酰亚胺薄膜的影响(表2)。发现大部分弱酸弱碱都不能腐蚀聚酰 亚胺，对于浓硫酸(常温)和发烟硝酸在无图形化的情况下腐蚀速率分别为21．87 A／min和40A／min。而在加热情况下浓硫酸与聚酰亚胺的反应显得剧烈、不稳定。 而在图形化的时候浓硝酸会钻蚀聚酰亚胺薄膜，另外薄膜本身的应力会使聚酰亚 胺薄膜图形的边缘发生翘曲。 对聚酰亚胺图形化方法也进行了探索，实验发现硬掩膜的使用对于PI图形化 是必需的。对使用铝、氮化硅、二氧化硅材料作为硬掩膜的聚酰亚胺图形化方法 进行了分析(图2)，以及之后就硬掩膜的去除问题进行了比较，设计了使用二氧 化硅作为硬掩膜图形化聚酰亚胺的合理方法。使用氧等离子体干法刻蚀技术对聚 酰亚胺的释放技术进行了研究。在工作压强6～7Pa，阳极电压1．5kV，氧气流量 1．4L／min的工作条件下氧等离子体对聚酰亚胺的刻蚀速率为0．29m／min。 最后采用聚酰亚胺牺牲层工艺设计并制备了双材料微悬臂梁焦平面阵列，图3 为工艺流程图，该工艺以PEcVD低应力的SiNx作为结构层材料，共包含7次光刻， 图4是制备过程中FPA的显微镜照片。该技术可广泛应用MEMS与CMOS的单片集 成技术中。 关键词：聚酰亚胺、牺牲层、图形化、释放【正文字数：924字】 参考文献 LM 1 [1]ABagolin，LPakula，Tscholtes，ect，J．MEMS1(2002)(12)，PP．385-389[J]， +通讯作者：于晓梅，教授，北京大学，yuxm@irne．pku．edu．cn l A一320 3触米，蚺米加I技术 中目搬米蚺*拄束学舍第十一届学术年台 !!!=!丑二!!= ^{■■} 3∑：三二——二Ⅱ==!== 1一 一 j＼之～4三兰耋茎 …J∞… 互====日= = s 口 ● Sp,mpt¨mP_) 田1厚度与目标转速的关系 图3寨酰Ⅲ胺柞牺牲层加工职材科悬臂巢 (曲 (b) 围2鲁向同性荆蚀过程十四形和方形释放孔*蚀图片 圈4制鲁d程=PFPA∞＆徽镜月片 裹1可盹的牺牲层、结构层的目々 #目B 刻蚀方#