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新型压电单晶的场致高应变特性研究 罗豪娃，冯祖勇，殷之文 (高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室， 中科院上海硅酸盐研究所，上海201800) 陶瓷要高出lo倍以上，可以达到了1．8％。这一结果被认为是铁电领域50年来一次 激动人心的突破Il J。弛豫铁电单晶的优异压电性能，使得它可以替代传统的压电陶 瓷，在新一代的超声换能器和驱动器有广泛的应用前景。 我们于1997年突破了用助熔剂方法生长弛豫铁电单晶的限制，用Bridgman方 法在国际上首先生长出了高质量大尺寸PMNT单晶口～l。在表征、研究PMNT单晶 性能，及其在高应变驱动器中应用时，我们发现不能期望简单地用PMNT替代常用 的PZT压电陶瓷材料．使相应器件性能有比较大的突破。而是需要根据该单晶本身 的结构和性能特点，在器件应用中，扬长避短，才能发挥PMNT单晶特别高韵场致 应变特点。本文主要讨论PMNT单晶场致应变的特点，及其与单晶结构之间关系 的一些研究结果。 1．PMNT单晶的场致应变和极化偏转 在准同型相界附近的三方相一侧，PMNT单晶具有非常大的压电效应。图l 向的PMNT单晶的应变s3可以达到1．8％。这么大的应变主要是由于在外电场作 21kV／cm时应变曲线存在第一个拐点，这时三方相的PMNT单晶开始发生结构相 变。电场为30kWcm时对应于应变曲线的第二个拐点，这时单晶已经完成了结构 相变，成为了四方相的结构。而电场在22～30kV／cm，PMNT单晶的结构发生了 一系列的复杂变化，极化沿着一定路径完成了从三方相到四方相的结构相变。 歹少●， ／ 厂 ∥nIM ^毋T奢-高 l | ／C夕 u备多髟 D一^Fleld(kVR∞t) 图1．强场下(001)取向单晶的场致应变 图2．(001)取向单晶和陶瓷的场致应变 Fu和Cohen提出的极化偏转模型(Fc模型)14】比较好地解释了这_二场致诱导的 相变过程。在三方相PMNT单晶中，沿着【00l防向施加电场时，单晶极化能够 从1111】方向沿着一定的途径偏转蛩J[ooll方向，变为四方相的晶体结构。弛豫铁电 -122． 体极化偏转的最终结果还和电场作用的方向密切相关。系统的研究结果表明15l，不 同组分的PMNT单晶，在外场下的具有不同的极化偏转途径，因而可以表现出不 同的场致应变特性。准同型相界附近三方一侧的PMNT单晶具有最佳的压电性能， d”可大于2500 pC／N以上，这是由于不可逆的R．MA-Mc转变引起的。 2．PMNT单晶在高应变驱动器中的应用 比较不同方向的应变曲线，可知弛豫铁电单晶沿001方向具有最大的场致应 变。实际上这一场致应变主要由两种效应所组成，分别是和电场成线性关系的压电 效应和成二次方效应的电致伸缩效应， S=dE+ME2 在电场小于10kV／cm时PMNT单晶场致应变的滞后很小(△s4％，图2所示)。 从图2应变曲线的斜率可导出压电系数d33约为2000pCm，电致伸缩系数M为I～ 4x10·16m2，v‘。和PZT-SF压电陶瓷相比较，在相间电场作用下，其应变量要大5— 6倍。用40片7x7x0．7 mm’的PMNT单晶片叠加制成的驱动器，在10kV／cm的电 场作用下，其位移量可以达到489m，充分显示了PMNT单晶在高应变驱动器中有 广泛的应用前景。 3．结论 弛豫铁电单晶高应变的原因是，应变过程中伴随着结构相变。其应变特性受单 晶极化偏转路径的影响，而极化偏转路径又受外场方向和单晶组分的影响。由于极 化偏转途径的不同，以及某些组分条件下单晶极化偏转的不可逆性，PMNT单晶中 会出现新的稳定的正交相和单斜相，这些新相的产生对PMNT单晶压电性能有非常 大的影响。因此只有根据不同PT含量的区域，PMNT单晶具有不同压电和应变特 性的规律，才能在器件应用中充分发挥新型压电单晶的高应变特性。 和传统的压电陶瓷相比较，弛豫铁电单晶有非常大的场致应变和比较小的应