稀散元素Ga%2fIn的有机─无机杂化硫属化合物的溶剂热合成.pdfVIP

得到的浅绿色清液采用气相扩散法培养单晶，约四周后可得数颗棕黑色块状晶体。 图1 [CuL]的分子结构图 图2 [CuL]的晶胞堆积图 为给体原子，与铜离子形成了不同的配位平面，从而在铜离子周罔形成了一个稍微扭曲的四面体构 型。 andX—i structureforanew ofCuL Synthesisaycrystal copper(I[)complex 木 Jian-HuaFe Wan Xu，Li Sun， ng，Wen—KuiDong，Li g,，Yin-Xia and Jin·-Kui Xiao--QingYang Zhong ofChemicaland (School Engineering，LanzhouJiaotongUniVersity，Lanzhou730070) Biological 稀散元素Ga／In的有机一无机杂化硫属化合物的溶剂热合成 戴洁8，周健，卞国庆，朱琴玉，李春英 (4苏州大学化学化工学院，苏州215123) 稀散元素(Ga、In、TI、Ge等)在我国的资源十分丰富，储量居世界前茅。由稀散元素构成的 多元硫化物、硒化物、碲化物以及砷化物具有独特的结构和半导体性质已被应用于新型光电材料， 并在催化、吸附等方面具有应用前景。因此对这类化合物和材料的深入研究具有重要的意义。主族 元素硫属化合物的晶体生长方法主要有高温固相合成法、常温溶液反应法、水热法或溶剂热法等方 法。溶液反应法不易得到化合物晶体。高温固相合成方法及溶剂热合成法都比较有利于晶体生长， 两种方法各有利弊。金属熔融盐中的高温合成法可以得到大体积单晶，但是得到的产物结构比较紧 密，不易形成大孔道结构，能耗高。溶剂热法反应温度低、条件温和，在反应体系中可加入适当的 模板剂，在模板剂结构导向作用下，通过单元组装可以形成结构新颖的金属硫属化合物，节省能量。 但是往往不易得到体积较大的单晶。 宰国家自然科学基金资助项目(No。 416 有机溶剂热法已经成为合成金属硫属化合物的重要方法。与无机硅氧分子筛和磷酸盐材料相比 较，这类化合物的溶剂热合成起步比较晚，目前所采用的模板剂或有机导向剂的种类还十分有限。 在溶剂热法合成主族元素硫属化合物中研究得比较多的有锡、锑和锗等元素，而相对镓、铟化合物 的研究直到最近几年才逐渐增多。而在应用方面用高温方法制备的硒铟镓铜CulnSe(CIS)和 各种非线性光学器件。如倍频、红外探测、激光通讯等器件。冈此在溶剂热条件下合成这类多元化 合物，探索这类化合物的结构性能，是很有意义的工作。镓铟硫属化合物的最基本结构单元为MQ4(M 构单元，如四聚离子【Ge。q。。广。在有机胺、季铵盐或表面活性剂等模板剂的作用下，这些二级结构 单元通过超分子组装、聚合形成0～3维不同结构的有机杂化硫属化合物。美国Feng研究组、Yaghi 研究组等发表了一系列超四面体构筑的Ga、In硫属化合物，【1，2】得到了排列规整的超级量子点晶 体和各类具有介孔构造的新型材料。这些合成中通常使用的模板剂是季胺盐和非鳌合胺，我们在这 类化合物中引入鳌合胺及多胺化合物，得到了～系列的包含鳌合配位离子的Ga、In硫属化合物。其 结构模式比非鳌合胺系列更具有多变性。(1)鳌合配位离子除了作为电荷平衡离子和模板或导向剂 作用外，还有可能直接与阴离子结合形成具有共价结构的有机一无机杂化材料。(2)通常以四面体 共用边形成的一维链状结构是直线型化合物，我们得到了一系列类型不同的正弦波状{【InTe2】一】。化合 物，对于研究这类化合物很有意义。 参考文献： 【1】(a)Zheng，N．F