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第一章 定义：绝缘电阻、体积电阻、表面电阻（P3） 体积电阻RV：是施加的直流电压U与通过绝缘体内部的电流IV之比 RV = 表面电阻RS：是施加的直流电压U与通过绝缘体表面的电流IS之比 RS = 绝缘电阻R:是体积电阻与表面电阻并联组成的 R = 体积电阻率单位是 Ω·m 、表面电阻率单位是 Ω 。(P4) 影响电阻率因素：温度 升高电阻率下降 、湿度 升高电阻率下降 、电场强度 升高得很高时电阻率下降 。（P5） 标准化处理温度 （23±2）℃ 、湿度 50%±5% 、时间 24h 。(P5) 试样尺寸和形状：(P6) ①方形板材：采用边长为50mm或100mm。 ②圆形板材：采用直径为50mm或100mm。 ③管状试样：长度为50mm或100mm。 三电极系统测量体积电阻和表面电阻 课堂笔记，两个图，标明：1、保护电极 2、测量电极 3、高压电极 电极材料最常用的是 喷漆或真空蒸发金属电极 、 金属箔电极 。(P10) 测量绝缘电阻方法的适用条件(P12~P19) 直接法：(P12) ①欧姆表：灵敏度不高，一般只能测到100MΩ。 ②检流计：灵敏度较高，最高可测1012Ω。 ③高阻计：灵敏度最高，可测阻值高达1017Ω，但准确度差。 比较法：(P16) ①电桥法：灵敏度也比较高，因此能够测量较高的电阻。 ②电流比较法：标准电阻和分流比的准确度都很高，只要α的度数 准确，这种方法的相对误差可降到百分之几。 充放电法：(P18) ①充电法：可测电阻达1016Ω~1019Ω（要用更灵敏的电子静电计） ②自放电法：可测电阻达1015Ω 电桥法测量的计算方程式（P17） Rx = RN Rx —— 试样电阻； RN —— 高阻值的标准电阻，可高达1012Ω； Rb —— 十进位的标准电阻，用以改变量程； Ra —— 微调电阻，可以调节电桥最终平衡。 充电法测量绝缘电阻的原理图、公式、步骤方法(P18) 步骤：要先闭合开关S1和S后加电压，经过1min打开S，开始计时间t，有读数时，读取U0和t（U0不能过大） Ix =C0U0/t Rx = 测量绝缘电阻的误差来源 仪器误差 、 漏电流 、 寄生电动势 、 外电场 、 剩余电荷 。（P20） 寄生电动势的出现条件 热电动势 、 接触电动势 、 电解电动势 、 其他感应电动势 。（P22） 第二章 定义：相对介电常数、介质损耗因数（P27，28） 相对介电常数?r：是在同一电极结构中，电极周围充满介质时的电容Cx与周围是真空时的电容C0之比 ?r = 介质损耗因数:是试品在施加电压时所消耗的有功功率与无功功率的比值。tanδ 试品等效阻抗的介损并联、串联。(P28) 看课本 影响因素：（P29） 温度：温度升高?r升高 ，温度很高时?r降低；tanδ在温度较低时在 ?r有变化时出现最大值，温度很高时，tanδ成指数式增长。 湿度：湿度升高，?r 和tanδ都升高。 频率：频率低?r增大，频率高?r减小；在?r有变化时tanδ出现最大 值。 高压西林电桥的原理图、推导公式 原理图在P32 公式在P30 如何在高压西林电桥上实现精密高压西林电桥(P31) ①减小标准电容器的损耗 ②减小杂散电容的影响 ③减小残余电感及零电容的影响 大电容电桥、反接电桥、对角线接地电桥、低压阻容电桥的使用条件(P33~P35) 大电容电桥：电容量很大的试品。 反接电桥：试品的一端必须接地。 对角线接地电桥：试品的一端必须接地。 低压阻容电桥：对于薄膜材料及某些电子器件，不允许施加过高电压。（P35） 谐振法测量电容适用条件、电容测量公式（P43） 测量频率在MHz以上一般都用谐振法测量 Q0 = = 测量误差来源及消除方法：外来电磁场干扰：倒相法的电容介损公式，电极的消除方法(P47) 外来电磁场干扰：在实验环境中，特别是在变电站等现场进行测量时，往往存在其他正在运行的高压设备，在试品所在的空间存在很强的电磁场。 倒相法的电容介损公式：(P48)看课本 消除电极误差的的方法：（P53） ①用较粗的架空短接线，让接线还留在测量系统中。 ②使用粘合剂涂在电极与试品的表面使两者接触良好。 ③使用三电极系统。 第三章 定义：电气击穿、电气强度(P69) 电气击穿：绝缘材料或结构，在电场作用下瞬间失去绝缘特性，造成电极间短路。 介电强度：指的是材料能承受而不致遭到破坏的最高电场场强。 是否击穿的判断条件(P69) 试样击穿或闪络时，试样上的电压突然降落，通过试样的电流突然增大，有时还会发出光或声。可以根据上述现象来观察击穿或闪络。但最终判断是否击穿，还要观察