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电化学沉积法制备一维氧化锌的研究.pdf
北京石油化工学院学报
第 22卷 第 3期 Vo1.22 NO.3
JournalofBeijingInstituteof
2014年 9月 Sep.2O14
Petro—chemicalTechnology
电化学沉积法制备一维氧化锌的研究
丁 尧 ,武光 明 ,殷天兰 ,姚天宇
(1.北京化工大学材料学院,北京 100018;2.北京石油化工学院,北京 102617)
摘要 :采用不 同条件 电化学沉积法在氧化铟锡 (IT0)导 电玻璃基底上 自组装生长 了一维 ZnO阵列 。
利用 x射线衍射仪 (xRD)和场发射扫描电镜(FEsEM)对其结构和形貌分别进行表征。结果表明,以种
晶预生长时间为 4OS的样 品为衬底 ,Zn 浓度为 0.005mol/L,CTAB浓度为 0.005mol/I,HMT浓度
为 0.01mol/I,沉积时间为 10min,沉积 电位为一0.90V条件下 ,能够制备 出高度取 向且致密 的一维氧
化锌 阵列 。
关键词 :一维氧化锌 ;电化学沉积 ;制备
中图分类号 :TB43 文献标 志码 :A
在众多的一维纳米材料 中,宽禁带半导体 1.2 前驱液的配置
ZnO一维材料因其具有独特 的性质 、优异性能 以十六烷基三 甲基溴化铵 (CTAB)和六 甲
和广 阔的应用前景而备受研究学者们 的关 基四次胺 (HMT)为 电沉积添加剂 ,Zn(NO。)
注[1]。目前制备高质量一维 ZnO纳米线 /棒 水溶液为电解液 ,加入适量 的硝酸钾 以提高溶
所采用的方法条件苛刻、操作复杂 ,如气一液一 液的导 电性 。用 二次蒸馏水配制不 同浓度 的
固法 (VLS) 或化 学气 相沉 积 法 (CVD)_[4]。 Zn(NO。)混合液 ,加入硝酸或 KOH 溶液调
尽管使用这些方法合成的产品结晶好、纯度高、 节电解液 pH 为 (5.5±0.1)。
粒度可控,但技术设备要求高都不利于一维 1.3 实验装置及样品制备
ZnO纳米线 /棒 的大规模制备 。因此 ,需要找 电化学沉积采用的是武汉科思特仪器公司
到一种能够克服上述缺点且易于大规模生产的 生产的2350型电化学工作站。采用三 电极恒
制备方法。电化学沉积技术相对于其他方法具 电位方式 ,对 电极选用石墨 电极片 (5cm ×5
有反应条件温和 ,设备简单 ,沉积率高 ,对环境 cm),参比电极选用 Ag/AgC1电极 。电极左右
友好 ,制备形貌可控等优点 ,被广泛应用于制备 排开竖直放置 。
一 维的ZnO纳米棒 阵列l5]。笔者利用不同条 第一步 :以石 墨电极片 为对 电极 ,ITO 导
件下电化学沉积法来制备一维 ZnO阵列。 电玻璃做阴极 ,两极间距为 40mm。设置沉积
电压为一1.1V,对基片原位进行种 晶预生长 ,
1 实验
生长 时 问分别为 0、20、40S,形成 3个制备
1.1 电极片清洗 衬底。
选用 ITO导电玻璃作为制备 ZnO纳米棒 第二步 :分别在 3个制备衬底上继续生长
材的基片。该导 电玻璃 的面 电阻为 12Q。将 ZnO晶体 ,沉积电位设置为一0.90V,生长时
ITO导电玻璃切割成
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