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制备多晶硅薄膜的晶化方法 张宇翔冯团辉杨仕娥陈永生李瑞郭敏 (郑州大学物理工程学院) 摘要 该文概述了目前世界上常用的利用晶化技术制各多晶硅薄膜的方法，这些技术包括直接 固相晶化和激光晶化等，并讨论了它们各自的特点。 关键词多晶号薄膜；{≤jiL 1引言 多晶硅薄膜是有许多大小不等和晶面取向不同的小晶粒组成．晶粒尺寸一般在几十到几百纳 米之间，大颗粒尺寸可达数微米。多晶硅薄膜在长波段具有高光敏性，对可见光能有效地吸收， 而且没有非晶硅氢簿膜的光致衰退现象，是理想的太阳能电池材料。另外，大晶粒酌多晶硅薄膜 有较高的迁移率，可以做成大面积、响应快的薄膜晶体管、传感器等光电器件。因而，多晶硅薄 膜在大阵列的液晶显示技术及徽电子技术中具有广阔的应用前景。尤其是在太阳电池中的应用更 。、_-●●E=；●一 为明显。 目前多晶硅薄膜的制各有许多方法。有直接沉积法和闻接晶化法。直接沉积法包括化学汽相 沉积法、液相生长法和热丝法等。问接晶化法包括激光再晶化法、固相晶化法等。化学汽相沉积 法是用化学汽相沉积(CVD)等设备直接在衬底(玻璃、不锈钢、塑料等)上沉积多晶硅薄膜，这 种方法沉积速度慢。液相生长法是在单晶硅上液相外延生长多晶硅薄膜，这种方法成本较高。间 接晶化法是将将沉积的非晶硅薄膜利用晶化方法得到多晶硅薄膜。下面简单介绍这些晶化方法。 2晶化方法 晶化是将无序排列的原子经热退火、光退火、高能离子照射等手段变成短程有序排列的原子， 即是将非晶结构变成多晶结构。晶化的方法有固相晶化、激光晶化等。 2．1固相晶化 固相晶化是指晶化温度低于非晶固体熔融后结晶的温度。固相晶化的方法有掺杂或非掺杂 固相晶化，金扇诱导固相晶化，光诱导固相晶化，微波诱导晶化等。 掺杂或非掺杂固相晶化是将一定厚度(几百纳米一几个微米)的掺杂或非掺杂的非晶硅薄膜放 入加热炉中(温度600．一1000C)，在氮气保护下，经数小时加温后，非晶硅变成了多晶硅。晶粒 为纳米、微米级，暗电导率提高2—4个数量级，光能隙减小，吸收限向长波方向移动。这种晶 化的特点是工艺简单，成本低，适合于大面积生产。 金属诱导晶化是在沉积非晶硅膜之前或之后，用热蒸发的方法镀上～层很薄的金属 尺寸比较大(可达20微米)，品粒均匀性好。但是，也由于金属的污染，使得制备出的多晶薄膜 含有金属原子。做不好太阳电池。 41S 光诱导晶化(VIA)用易产生高热的灯具(如卤钨灯)照射到非品薄膜上，使之快速晶化f2]。 这种晶化的特点是晶化速度快(几十分钟)，适合大面积使用，晶化成本低，是工业化生产的后 备选项．这项技术正在积极研究与开发中。 微波退火晶化是用微波作用到非晶硅薄膜上，使之晶化。这种晶化的特点是退火温度较低( 600C)，退火时间较短(数小时)，晶粒均匀性好。但是设各较贵．晶化成本较高。 2．2激光晶化 激光晶化是将激光束瞬间打到非晶薄膜上，使其高温熔化结晶，由于时间极短，衬底温度仍 保持不变。激光晶化所采用的激光束有氩离子激光，准分子激光，Nd：YAG激光，Cu蒸汽脉冲激 光等，从工作方式分，有扫描连续波激光器退火晶化，有脉冲激光退火晶化[3】。 目前激光晶化主要用于直接进行大晶粒薄膜的制备，或制各籽晶层．或控制晶粒成核密度和 生长晶粒速度。 扫描连续波激光器退火晶化是激光束以一定的扫描速度(十几厘米／秒)扫过整个非晶薄膜， 由于激光束很窄(斑径几十微米)，扫瞄需要一定的重叠区域，扫过的区域熔化结晶，这种晶化 可以获得很大的晶粒尺寸(横向可达数百纳米)。 脉冲激光退火晶化是以脉冲的形式发出的激光一点一点打在非晶薄膜上，冷却速率达1010 ℃／s，晶粒尺寸约几个徽米。 激光晶化的特点是激光与薄膜作用时间短(几十纳秒)．避免了高温处理时对衬底的损伤。 得到的多晶硅薄膜含氢量低，较致密，大面积不均匀。 3结论 非晶硅薄膜的晶化技术是制各多晶硅薄膜的有效手段，如何通过晶化得到均匀、性能良好、 成本不高、适应于大规模生产的多晶硅薄膜。还需要进一步研究。 参考文献 1张风鸣．多晶硅薄膜太阳电池。太阳能学报．2003，24誊．4期555．564 2 Jia,，SolarEnergyMaterials＆SolarCell，62(2000)201-205 Song