光导开关研究进展及其在脉冲功率技术应用.pdfVIP

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  • 2017-08-09 发布于安徽
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光导开关研究进展及其在脉冲功率技术应用.pdf

中国电机工程学会高压专委会2007 年学术年会论文集 光导开关研究进展及其在脉冲功率技术中的 应用 1, 2 2 2 2 1 袁建强 谢卫平 周良骥 陈林 王新新 1 清华大学电机系 2 中国工程物理研究院流体物理研究所 摘要 光导开关具有上升沿快、时间抖动小、击穿场强高、光电隔离等优点,在脉冲功率技术中有重要应用。 概述了 GaAs 光导开关的发展历史,通过对 GaAs 和 SiC 进行比较指出 SiC 由于禁带宽度大、击穿场强高、电 子饱和漂移速度大、热导率高等优势被认为是更好的光导开关材料。比较了本征光电导和非本征光电导的不 同之处,报道了利用本征光电导和非本征光电导的 SiC 光导开关的最新进展。简要介绍了光导开关在超宽带 源和紧凑型脉冲功率系统中的应用,提出了 SiC 光导开关发展的关键技术并进行了展望。 关键词 光导开关 砷化镓 碳化硅 超宽带源 紧凑型脉冲功率系统 关,是超快脉冲激光器和光电

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