光学浮区法生长技术及其在晶体生长应用.pdfVIP

助 能 财 料 光学浮区法生长技术及其在晶体生长中的应用木 武安华1，申 慧1，徐家跃1，小川贵代2，和田智之2 (1．中国科学院上海硅酸盐研究所，上海200050；2．日本理化学研究所，和光35l—0198) 摘要： 光学浮区法是近些年来倍受关注的晶体生长 得很高，并且也能使掺杂掺得很均匀，从20世纪50年代 的新方法，具有无需坩埚、无污染、生长速度快等优点， 起，该方法首先应用于硅单晶的生长。而后因为其无需 十分适合于晶体生长研究。介绍了光学浮区法晶体生长 坩埚、无污染、生长速度快等优点，广泛应用于晶体生 炉的构造以及技术原理，并阐述了该生长法在晶体生长 长研究，特别是氧化物和金属间化合物，尤其对于那些 领域的应用情况。 熔体反应强烈和高熔点的晶体材料【3】。现在广泛应用的 关键词： 光学浮区法：晶体生长；应用 光学浮区法晶体生长炉，都采用椭球发射镜聚焦发射自 中图分类号： 0782 文献标识