CCDCMOS原理介绍 讲义.pptVIP

CCD电子产生过程 当光线照射CCD产生电子和电洞（如2.），并在上层的导电闸施以正电+V后，电子会集中在SiO2和Si之间。施电压后储存电子会进行排列，（如3.） 谢谢！ CCD ISO 感光能力—决定因素 CCD摄像机最大的ISO值主要是取决于最低的可接受的信噪比（S/N）。克服 S/N 的最大关键乃是位于 CCD 组件中的『电极暗电流 - Black level』电荷。 CCD ISO 感光能力—电极暗电流定义 暗电流是指在没有入射光的情况下CCD所仍具有之电荷量，理想的CCD其暗电流应该是零，但部分游离电荷会残存在电极之间，导致没有光线下CCD还是『感应』到些许的『电荷』存在，形成了『看到了』的杂像！ CCD ISO 感光能力—电极暗电流影响因素一 S/N的强度还会随温度增高而增加（每增加 10℃，S/N可能增加 1倍）。因此，在连续施加电源过久的情况下，机体温度过热会导致画面的噪声增加。 CCD ISO 感光能力—电极暗电流影响因素二 曝光过度也会使景物较为明亮区域的CCD带有过量电子。一般来说 CCD 会忠实的反应其结果，就是曝光过度的白光！。 不过，在极端情况下，CCD的电子会渗进邻近的电极当中，导致数字影像拖出长白光迹或变色光影。 CMOS图像传感器简介 ＣＭＯＳ 英文全名 Complementary Metal-Oxide Semiconductor，互补性氧化金属半导体 CMOS Image Sensor外形 .CMOS图像传感器是利用CMOS工艺制造的图像传感器，主要利用了半导体的光电效应。和CCD的原理相同 CCD 与 CMOS 感光组件之优缺点比较 彩色CCD和CMOS差异分析-ISO 感光度差异 CMOS 每个画素包含了放大器与A/D转换电路，过多的额外设备压缩单一画素的感光区域的表面积，因此在 相同画素下，同样大小之感光器尺寸，CMOS的感光度会低于CCD。 彩色CCD和CMOS差异分析-分辨率差异 CMOS 每个画素的结构比 CCD 复杂，其感光开口不及CCD大， 相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时，CCD感光器的分辨率通常会优于CMOS。不过，如果跳脱尺寸限制，目前业界的CMOS 感光原件已经可达到1400万 画素 / 全片幅的设计，CMOS 技术在良率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难，特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小。 彩色CCD和CMOS差异分析-噪声差异 CMOS每个感光二极管旁都搭配一个 ADC 放大器，如果以百万画素计，那么就需要百万个以上的 ADC 放大器，虽然是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对比单一个放大器的CCD，CMOS最终计算出的噪声就比较多。 彩色CCD和CMOS差异分析-成本差异 CMOS 应用半导体工业常用的 MOS制程，可以一次整合全部周边设施于单芯片中，节省加工芯片所需负担的成本 和良率的损失；相对地 CCD 采用电荷传递的方式输出信息，必须另辟传输信道，如果信道中有一个画素故障（Fail），就会导致一整排的 讯号壅塞，无法传递，因此CCD的良率比CMOS低，加上另辟传输通道和外加 ADC 等，CCD的制造成本相对高于CMOS。 彩色CCD和CMOS差异分析-耗电量差异 CMOS的影像电荷驱动方式为主动式，感光二极管所产生的电荷会直接由旁边的晶体管做放大输出；但CCD却为被动式， 必须外加电压让每个画素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特（V）以上的水平，因此 CCD 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使 CCD 的电量远高于CMOS。 导行波与辐射波 * TEM 横电磁波,电场和磁场的纵向分量为零 * 双曲函数 * 图像传感器原理介绍（CCD和CMOS介绍） kanry_li 2012-11-5 Image Sensor的分类 Image Sensor的分类有两种： 1.CCD图像传感器 2.CMOS图像传感器 CCD图像传感器简介 ＣＣＤ（Charge Coupled Device ，感光耦合组件简称） 是摄像系统中可记录光线变化的半导体，通常以百万像素〈megapixel〉 为单位 CCD发展史 1969年，由美国的贝尔研究室所开发出来的。同年，日本的SONY公司也开始研究CCD。 1973年1月，SONY中研所发表