一种新型的CMOS集成湿度传感器.pdfVIP

维普资讯 一 种新型 的CMOS集成湿度传感器 顾 磊 ，秦 明，黄庆安 (东南大学 MEMS教 育部重点实验 室，江苏 南京 210096) 摘要 ：利用 MEMS技术 ，对一种新型 CM0S湿度传感器进行理论分析 、模拟 以及 结果讨论 。 该 湿度传感 器采 用标准 CMOS工艺制 造 ，采 用梳状铝 电板结构 、梳 状 多晶硅 加热 结构 ，衬 底接 地 ，感湿介质采用聚酰亚胺 ，利用商业软件 Coventor进 行模拟绘制 出敏感 电容与相对湿度 的 曲线图。接 口电路采 用开关 电容 电路 ，输 出可测 电压信 号 ，利用 Microsim 公 司的 Pspice模拟 电路得 到相 对湿度与输 出电压 曲线关 系。 关键 词 ：湿度传感 器；CMOSIC；集成 ；MEMS 中图分类号 ：TP212 文献标识码 ：A 文章编号 ： 1671-4776(2003)07／08—046I-03 A novelintegratedhumiditysensorcompatiblewithCM OS GU Lei，QIN Ming，HUANG Qing—an (KeyLabofMEMSofEducationMinistry，SoutheastUniversity，Nanjing210096，China) Abstract：A novelhumidity sensorstructurebasedon CM OS IC andM EM S technology is presentd．ThestructureofRH sensorwassim ulatedandtheresultwasdiscussed．TheRH sensorconsistsofthecom belectrode，acomb polysilicon heaterwhilethepolyimideisused asmoisturesensingmateria1．ThesubstrateiSconnectedwith theground．Thecurveofthe sensingcapacitanceVSrelativehumidity isanalyzedusing theCoventor．Theinterface cir— cuit，whichgivesavoltageoutput，istheswitchingcapacitorcircuit．FinallythecurveofRH VSthevoltageoutputissimulatedbythePspiceofM icrosim Corporation． Keywords：humidity sensor；CM OS IC；integrated；M EM S CMOS工艺制造湿度传感器_l1]。该湿度传感器利 1 引 言 用空气作为感湿介质 ，由于表面吸附的影 响，线性度 湿度传感器在环境测量 中具有重要 的意义 ，如 和滞 回特性都非常差 。1991年 ，T．Bohshauser采 厂房 、仓库 、高速公路 以及农业生产 中的测量 ，此外 用 CMOS技术加上后序工艺 ，利用聚酰亚胺为感湿 湿度也与人们 的 日常生活密切相关 。 介质制作 了相对 电容湿度传感器口]。此后 ，由于聚 目前环境检测 中实际应用 的大都是传统的湿度 酰亚胺 良好的感湿性能而在湿度传感器 的制造 中得 传感器 ，如干球湿度计 、露点湿度计等 。这些湿度传 到广泛应用 ．4_。2000年 ，UksongKang将 多 晶硅 感器存在 以下几种缺点 ：(1)相 同产 品的一致性差 ； 作为加热复位 电路 引入湿度传感器