- 19
- 0
- 约3.18万字
- 约 4页
- 2017-08-09 发布于浙江
- 举报
第 卷第 期 合肥 工 业大学学报 (自然 科 学版 ) Vol
38 1 .38No.1
J
年 月 OURNAL OF HEFEIUNIVERSITY OFTECHNOLOGY
201
5 1 Jan.2015
: /
doi1 506
0.3969 .issn.1003 0.2015.01.014
j -
紧凑型微带阵列天线互耦的改善
, ,
戴 维 杨 武 左劲风
明
( , )
合肥工业大学电子科学与应用物理学院 安徽 合肥 009
230
: ,
摘 要 文章根据经典的哑铃状缺陷地结构设计出一种新型缺陷地结构 用于改善紧凑型微带阵列天线阵元
。 , / ,
间的互耦 在谐振频率为 2.45GHz阵元间距为 110自由空间波长的天线阵阵元间引入该结构 采用 An
-
, ,
sof 进行仿真 比较加入缺陷地结构前后天线的各项参数 结果表明该结构使得表征阵元间互耦的参
tHFSS
数 , 。
S 减小 B以上 有效地改善了阵元间的互耦
2 30d
1
: ; ; ; ;
关键词 微带阵列天线 缺陷地结构 互耦 插入损耗 回波损耗
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
T
N8 A 100
22 3 0201501 5
506 006 04
-
原创力文档

文档评论(0)