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传感器芯片隔氧化层离子注入工艺研究 郑东明 唐慧 张治国等 沈阳仪表科学研究院传感器国家工程研究中心 沈阳 110043 ElectronicMechanic Circuit)平面技术和MEMS(Microsystem)技术在硅 摘要：利用IC(Integrated 片上生产出集差压敏感元件、静压敏感元件、温度敏感元件为一体多用途新型传感器芯片。该传感器能 够同时测量环境中的差压、静压和温度的变化，静压和温度的测量数据可修正被测环境的差压输出信号， 从而可提高差压传感器的精度，具有智能化。我们采用了带氧化层离子注入浅结工艺技术，较好实现了 预期设计。同时满足了高输出、高过载和低功耗这些矛盾的技术参数。 关键词：氧化层离子注入 1．设计愿理 设计原理如图1所示，R。、R2、R3、R4构成差压惠斯登电桥，R5、氏、R7、＆构成静压惠斯登电桥， R9为测温电阻，以上几组器件都集成在一个芯片上，静压、温度的测试参数可以修正差压测试数据，形成新 一代具有多种参数测试功能的新一代智能化产品。 Rl R2 图1 多功能传感器原理图 2．工艺设计 利用IC平面CAD设计技术分析软件，对多功能传感器敏感芯片进行工艺分析，设计合理工艺，解决 传感器的高输出与高过载相矛盾问题，同时降低传感器的功耗。 1)浅结技术 载等重要参数。 2)常规浅结工艺 工艺流程(图2(a))：①氧化；②光刻出硅窗口；③硼离子直接注入；④淀积钝化膜。 由于是浅结，PN结高温时向下扩散变得深，所以注入后不能用高温热氧化形成钝化保护膜，必须采用 膜片必然有较大的应力，引来其他的外来应力，将直接影响传感器的性能。经过以上分析，这种方法是行不 通的，必须采用其他办法来实现浅PN结工艺。 3)带氧化层浅结离子注入技术 』：艺流程(图3(a))：①氧化：②光刻(保留光刻胶)：③离子注入(光刻胶屏蔽)：④去掉光刻胶。 从I：艺流程中可以看出，采用带氧化层离子注入技术，可以在热氧化薄膜形成后，刁泌开出氧化层窗E1． 用光刻胶做注入屏蔽，在氧化层上进行离子注入．搀杂离子穿过氧化层在硅内形成PN结(图3(b))，而热 氧化薄膜继续做钝化保护薄膜当然．带氧化层浅结离子注入技术是一项复杂的技术，我们采用Analysis羽l 103 Icream等技术软件进行CAD模拟设计，优选了屏蔽的光刻胶及工艺，确定了氧化层厚度、注入剂量、注入 能量、退火工艺，经过工艺实践，惠斯登电桥实现了预期设计，各项性能也达到了满意的程度。 她亡!] 吼02亡芏] 离子注入 8i02芒兰i 低温淀积、 8i。芒翌 (a) (b) 图2常规浅结工艺 (a)工艺流程；(b)离子注入杂子分布。 我们把这项浅结工艺技术与深浓硼搀杂区做浅PN结与金属引线电极连线工艺技术、静电封接工艺实现微 结构无介子刚性封装避免热迟滞、蠕变等工艺技术互相配合使用，实现了IC平面工艺和MEMS工艺的相容， 使器件的静态性能和过载能力达到设计指标，短期稳定性达到±8pV／100h，长期稳定性达到±O。l唰年。 经采用上述工艺，传感器最后达到的水平： 差压量程0～40kPa0～100kPa；静压量程14MPa；温度范围一30℃～80℃；满量程输出 ≥60mV／5V：非线性≤0．5％FS；重复性≤0．05％FS；迟滞≤O．05％FS；零点失调≤40mV／5V：年 稳定性±O．1％FS；测量精度O．1级。