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压电与声光 2001年增刊
文章编号：1004—2474(2001)S0—0164—03
RF
MEMS复合膜开关的力学模型
郑惟彬1，黄庆安1，金玉丰2，李拂晓3
(1．东南大学徽电子中心，南京21／)096；2．北京大学擞电子研究所，北京100871；土南京电子器件研究所，南京210016)
摘要：目前对MEMS开关和移相嚣的研究非常活跃．但是大部分的研究工作都集中在设计不同形状的开关结构和开
关制作上，时开关静电力模型的研究还十分不够．文章利用材料力学知识，通过合理的假设和简化，推导出双晶蛄
构粱膜式开关的静电力解析模型，并详细讨论了开关阈值电压和几何尺寸的关系．
关键词：膜式开关：双晶结构梁：模型：阚值电压
中图分类号：TN402 文献标识码：^
The ofElectrostatieForcesinRF—MEMS
Modeling MembraneSwitches
ZHENG Fu_xiao’
Wei-binl，HUANG
Qing-aal，JINYH-fengz,LI
(1．MicroelectronicsCenter，SoutheastUniversity，Namin9210096，China；2．Institute
210016，China)
3．NanjingInstituteofElectronicDevice,Nanjing
Abstract：MEMSswishesand shiftershavebeen activeareasin three works
very mostofthe were
phase past years．But
concentratedon and
differentstructuresfabrication islittle that
workhasbeendonetodescribe
designing techniques．There
theirelectrostaticforces this ofamembraneswishwitha beam
modeling．Inpaper,ananalytical dual—lay
equation crystal
was relationbetweenthresholdand Wasdiscussedindetail．
conducted．Furthermore，the voltagegeometry
words：MEMSmembrane
Key switches；a beam；model；threshold
dual-lay
crystal voltage
1 引言 上。而对开关的力学解析模型的研究，尤其是开关阈
值电压和几何尺寸之
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