改良西门子法生产多晶硅的工艺流程及其污染分析.pdfVIP

改良西门子法生产多晶硅的工艺流程及其污染分析 王航舟 摘 要：本文介绍了国内多晶硅生产的主要工艺——改 良西门子工艺及其生产流程，着重分析了改 良西门子工艺生产多晶硅的过程 中各工序的污染来源，并对这些污染物进行了归类，对归类后的污染物给出了科学处理的建议。 多晶硅生产 以金属硅为原料，与氯化氢反应合成三氯氢硅， 是产生的少量氯气排放。 经过精馏提纯后，用高纯氢气还原得到多晶硅产品。我国的多晶 2．2三氯氢硅合成工序 硅生产起源于上世纪五六十年代中期，由于生产技术难度大、生 原料硅粉经 吊运并加入硅粉加料斗，之后进入烘粉炉除湿， 产规模小、工艺技术落后、环境污染严重，能耗高、成本高导致大 然后进入中间储存罐后加入计量罐进行压力平衡后 由气动盘阀 部分的生产企业相继停产和转产。近年来，由于电力、煤炭、石油 控制硅粉加入量将硅粉加至硅粉进料管；从HC1合成工序来的 等不可再生能源的供应造成的能源供应紧张局面 以及半导体集 HC1与回收的HC1混合后进入硅粉进料管带动硅粉从合成炉底 成电路产业的迅猛发展，尤其是太阳能光伏产业的发展，极大地 部进入三氯氢硅合成炉。在三氯氢硅合成炉 内，硅粉与氯化氢发 推动了多晶硅产业的发展ll_。目前国内的多晶硅生产工艺主要以 生反应，生成三氯氢硅，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、聚氯硅 改 良西门子工艺为主，本文就改 良西门子工艺生产多晶硅过程 烷、金属氯化物、氢气等，经冷凝分离后的到液体氯硅烷。此外， 中可能出现的污染现象进行了分析，并提出一些合理的建议。 在后处理系统中还存在部分水解物。 该工序由于硅粉纯度和副反应的发生，产生了聚氯硅烷、金 1改良西门法生产多晶硅的工艺流程 属氯化物 以及 SiO 水解物、不凝性酸性气体 (N：、H2)的排放，还 有硅粉添加过程中产生的废硅粉。 2_3 三氯氢硅分离提纯工序 在分离提纯工序实现了三类混合氯硅烷的分离和提纯：① 三氯氢硅合成工序合成的氯硅烷；②三氯氢硅 CVD反应后冷凝 下来的氯硅烷；③四氯化硅氢化后冷凝下来的氯硅烷。在分离提 纯工序，三氯氢硅被提纯至 0．1ppbw以下后送去三氯氢硅氢还 原工序 。 本工序产生的主要是精馏废液和废气，废液、废气的主要成 分是三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、氮气 以及少量的金属氯 图 1 化物及聚氯硅烷。 改 良西门子法生产多晶硅的工艺流程如图1所示。采用氢 2．4 三氯氢硅氢还原工序 气和氯气合成氯化氢，氯化氢与冶金硅粉在一定温度下合成三 由精馏提纯工序来的三氯氢硅被加热汽化后与氢气混合进 氯氢硅，然后对合成的三氯氢硅进行精馏提纯，提纯后的三氯氢 入还原炉 内，在炽热的硅芯 ／硅棒表面发生氢化还原反应，并在 硅气化后在氢还原炉 内进 硅芯，硅棒表面沉积，使硅芯硅／棒逐步长大，从而得到高纯硅。在 行CVD反应得到高纯硅；还原尾气经干法回收