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2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海
隧道氧化层的击穿电荷量特性与EEPROM耐
久性评价
阙金珍刘红侠 李蕾蕾
(宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安电子科技大学微电子学院西安
710071)
摘要： 利用MOS电容测试结构研究了恒定电流应力下击穿电荷量Qeo的特性。研究表
明Q叻与电流密度和电流方向有关。Qeo随着电流密度的增大而减小，正电流偏置应力下的
QBo较大，通过物理模型详细解释了实验现象。论文最后给出了评价EEPROM耐久性的Q叩测
试方法。当QBD5C／cm2时，EEPROM擦／写次数可超过10万次。
关键词： 击穿电荷量，EEPROM，耐久性，隧道氧化层
on toBreakdownCharacteristicsof
StudyCharge
TunnelOxideandEstimateofEEPRoMEndurance
Jinzhen。“u Leilei
Que Hongxia，Li
ofWide SemiconductorMaterialsandDevicesof of
(KeyLaboratoryBand—Gap Ministry
of
Education，SchoolMicroelecronics，Xidian710071，China)
University,Xi’all
Abstract：Thecharacteristicsof tObreakdownwerestudiedMOS
charge 02D using capacitor
structuresunderconstantcurrentstress．Itshowsthat is onstressedcurrent
QBDdependent
andbias increasesfor current and currentbias．A
density condition．QBO high densitypositive
is
detail is method Can
model．QBD described，which
explanationpresentedbyphysical testing
estimatetheenduranceofEEPROMcells．ItisfoundthatEEPROMcellswith
QBD5C／cm2
haveexceHentwrite／eraseenduranceoveronehundredthousand
cycles．
to oxide
Keywords：chargebreakdown，EEPROM，endurance，tunnel
1引言
超大规模集成电路中，超薄栅氧击穿是导致电路失效的主要因素。特别是在
Erasable
EEPROM(ElectricallyProgrammableRead-OnlyMemory)中，隧道氧化层的退
化和击穿将降低可靠性u…。LOTOX(Floating
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