不等距四探针在测量硅材料电参数方面的应用.pdfVIP

不等距四探针在测量硅材 料电参数方面的应用 鲁效明 宿昌厚 (中国计量科学研究院北京100013)(北京工业夫学100022) 【摘要】 本文简单介绍了双电测方法测量大尺寸(包括棒状)硅材料样品电阻率的初步结果． 这是用双电测方法在测量薄片电阻率取得成功后，首次在这方面进行的测量探讨．这种方 法对探针间距没有严格要求，尤其是用一种计算公式，即能测薄片电阻率又能测捧状材料 电阻率这是常规四探针方法不能比拟的。 引 言 双电测方法，国外亦称双位组合测量方法，就是对某一被测对象进行两次电测量，通 过汁算，得出被测量结果．其示意图见图1双电测方法的优点在于它消除了探针间距不等 和探针游移率所带来的误差．如果是测量小尺寸的样品或测量样品的边缘位置，双电测方 法可以不进行几何尺寸的修正，这些优点是常规四探针方法无法实现的，因此用双电测方 法测量可以达到提高测量准确度的目的． 一、双电测方法目前在国内外的现状 双电测方法，目前在国内外都在应用和推广．据有关资料报导美国从1981年开始已有 Perloff等人提出用双电测方法测量，他们称为Perloff法．目前该方法虽然在国外都实现了 自动化测量．但测量对象仅限于薄层电阻(方块电阻)，电阻率的测量还从未见过报导 图l双电测方法三种模式的示意图 第一次测量 第二次测量 第一次测量 第二次测量 删型必必 第一种模式 第二种模式 州-i基 第三种模式 国内从80年代末开始研制这方面的仪器，已有不同的几种产品先后问世，并在国内 投人使用．值：，导一提的是95年我国七零零厂已经生产出一种D41—10型全新性能的全自 动化的双电测：亏法的测试仪。这种仪器可作为科研计量部门的标准精密仪器使用。96年由 广州半导体材料研究所研制生产的SDY-VI型测试仪也是双电测原理，它不仅能测方块电 阻．也能测电阻率，它为作～种普及型仪器，更适合一般工厂，学校使用．无论是D41一 10型还是SDY—VI型仪器虽然能测样品的电阻率，但只限于样品厚度在3mm以下的材料， 对于厚度超过了3ram的样品，上述仪器就都不能测了，也就是说目前国内外，还没有一台 仪器能用双电测方法测量棒状材料的电阻率． 二、用双电测方法对大尺寸样品电阻率测量的探讨 众所周知，常规四探针法测量厚度超过了3mm以上的样品其电阻率的计算公式为 P；2Ⅱs善………(1)、。 ， 而测量薄片的电阻时计算公式P=÷·W·F(形／s)·F(S／D)·f，………(2) 式中：V为测重时的电压值，I为测量时的电流值 S为探针间距W为样品厚度值F(、v／S)为样品厚度修正系数 F(S／D)为样品直径修正系数Fsr为探针间距修正系数 用双电测方法对薄片样品电阻率的计算公式如下，按测量时的三种组合模式，得到下面三 个电阻率的计算公式： ‘。 蝴·，P=旦en2幽幽塑I …‘K．，。。f∥S)4 川麓黼／肌…④ 、。 撇(2)尸=彘丛业幽Ie打2 …H：九(∥S)。 ^[馈船／肌…(4) e”2 …。F．t．f∥／S)。 懒，)P-彘丛盟型1进螋六[揣肌…(5) 上述三个计算公式适用于样品厚度W‘3mm的硅材料，对于厚度超过3mm的样品(包 括捧状材料)能否用双电测方法测重，这就成为目前从事半导体同行们更加关注的问题了 为此从98年开始，我们在这方面作了部份有关实验，初步得到如下实验结果：见表1 表l：测量大尺寸硅材料两种四探针方法测量结果 样品尺寸mm测量电流 测量位置 测量结果(Q·cm)两种方法比较