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第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（E.先进太阳电池） 多重激子效应及其在先进太阳电池中的应用多重激子效应及其在先进太阳电池中的应用 多重激子效应及其在先进太阳电池中的应用多重激子效应及其在先进太阳电池中的应用 苏未安，苏未安，沈文忠沈文忠 苏未安苏未安，，沈文忠沈文忠 上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室，上海交通大学太阳能研究所，上海， 200240 摘要：摘要 多重激子效应是指纳米尺度的半导体材料吸收一个高能光子而产生多个激子（即电 摘要摘要 子－空穴对）的过程。多重激子效应具有巨大的基础研究价值和广泛的应用价值，其潜在应 用涵盖了从非线性光学和激光到光化学的广泛领域，尤其是对于发展高效太阳电池、高灵敏 度光电探测器、高质量的光放大器、高品质的激光器以及雪崩式光电二极管更是具有重大的 推动作用。我们以多重激子产生的碰撞电离过程为其物理机制，结合Fermi在1950年建立的 统计模型理论，建立了一个能够解释较大尺度范围内的纳米半导体颗粒中多重激子产生效应 的统计模型。对PbSe量子点中多重激子效应的计算结果不仅证实了该模型的正确性，并且 能够初步解决该领域现存的争议。 此外，我们改进了计算太阳电池效率的细致平衡模型， 详细的探讨了多重激子产生对于纳米结构的先进太阳电池效率的增强作用。 关键词：关键词 多重激子效应；碰撞电离机制；先进太阳电池；细致平衡模型；阈值能量； 关键词关键词 1 引言引言 [1,9] [10] 引言引言 高品质的激光器 以及雪崩式光电二极管 多 重 激 子 效 应 (Multiple Exciton 更是具有重大的推动作用。 Generation, MEG)是指纳米尺度的半导体材 20 世纪 50 年代，在半导体材料中发了 料吸收一个较高能量的入射光子而产生多个 的类似纳米半导体中多重激子效应的载流子 [1-3] 电子－空穴对（激子）的物理过程 。当纳 倍增效应(carrier multiplication)[11,12]，并发展 米半导体吸收一个能量至少等于或者大于二 了碰撞电离(impact ionization)理论[13,14] 以解 倍纳米半导体材料的禁带宽度Eg 的光子而在 释其机理。Nozik 率先提出了在纳米半导体材 其内部产生两个或者更多的电子－空穴对 料中存在高效率的载流子增生的预言[5,15] 。， 时，纳米半导体中的多重激子产生效应就发 Schaller 和 Klimov[16]于 2004 年首次报道了 生了。在多重激子产生时，光子内大于禁带 纳米 PbSe 中显著的多重激子效应，证实了 宽度的能量是用来激发半导体中的其它电 Nozik 的论断。此后的短短几年之内，纳米半 子，而不是通过声子辐射以放热的形式耗散 导体中的多重激子效应就得到了广泛而深入 掉