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大面积有序生长纳米半导体材料的电化学制备及其应用基础研究 童叶翔 （中山大学化学与化学工程学院，广东，广州，510275, E-mail: chedhx@mail.sysu.edu.cn ） 如何在宏观尺度基体上制备大面积有序生长纳米尺度功能半导体材料，已成为国内外半导体纳 米材料领域普遍关注的重大科学问题和热点研究领域。电化学方法制备纳米半导体器件的特点优势： 反应条件温和 ，绿色经济，形貌可控，非常有利于纳米器件制备。 本报告简介了我们课题组2008 至2009 年通过电化学沉积技术，在 Cu ，Ni ，Ti 和 ITO 等宏观 尺度基体上制备的 Sb[1], Bi Te [2], PbTe[3] , ZnO[4] ，Zn Cd O[5] ，Ce4+/ZnO [6] ，Eu3+/ZnO [7] ，CeO [8] ， 2 3 1-x x