CH4／Ar射频等离子体气相沉积碳—金刚石薄膜的结构分析.pdfVIP

维普资讯 薄 膜 科 学 与 技 术 THIN FILM SCIENCE AND TECHNOLOGY CH4／Ar射频等离子体气相沉积 碳～金刚石薄膜的结构分析 张贵锋 韩 栋 刘正堂 郑修麟 O ． ， — — — — — — 、 — — — — — — — ～ (西北工业大学材料科学与工程系) 1992年6月27目收到 摘 要 改进类金刚石薄膜的传统沉积工艺，用CH．／Ad十囊等离子体气相沉积法在宣温下得到碳 翘讯塑盐’≮ 墼怒 蛐辄一 1引 类金刚石碳膜 (Diamond-LikeCarbonFilms)是国际上七十年代初发展起来 的一种 新型薄膜材料．由于该膜具有类似于金刚石 的物理化学性能，制备方法较为简便。成本 低，又是在 300U以下形成，因此 自】971年美国Aisenberg… 发表该膜的研究论文后 ， 引起了人们的浓厚兴趣。二十多年来，许多学者用各种方法对 DLC膜的结构作 了较深入 的研究，大致上有共 同的看法，即膜是一种具有非晶态和微晶结构的含氢碳膜，但某些细 节不尽相 同．H_Vora等人 0 用电子衍射分析发现，膜 的结构主要是非晶悉，然而有些 小区显示 出几种不同的单晶和多晶衍射花样．这些花样对应于点阵常数为 0．34～0．67nm 的各种立方相．最近，Armaratunga等人 0 用CH．／ArRF等离子体在室温下沉积出含 有 20～20Ohm金剐石微晶的薄膜，他们称之为碳一金刚石薄膜．本文用同样 的方法制备 出这种膜，并用透射 电镜详细研究了膜的结构。对金刚石的形成机理作了初步探讨． 2碳一金刚石薄膜的制备 用 】3。56MHzRF等离子体气相沉积法制备碳—金刚石膜．衬底为 (100)低阻单晶 硅，衬底置于水冷 的阴极板上。沉积前，先用 A，清洗样品表面 5～】0rain，然后通入 CH．／Ar混合气体，CH4含量 2％～15％，两种气体均 由质量流量计精确控制，气体总 流量 3～30Sccm，功率密度 0．04～0．】9W ·cm ·Pa-，直流负偏压 300～IO00V，反应 室内压强 4．66～26．6Pa，沉积时间40min． 航空航天工业部科学技术研究院资助项 目 维普资讯 第2期 张贵锋等：c ．／Az射城等离子体气相沉积碳—金刚石薄膜的结构分析 ·141· 3碳一金刚石薄膜的结构分析 3．1RsmM光谱分析结果 图 1是碳一金剐石薄膜的喇曼光谱图，样品 1、2的CH,含量分别为 5％、15％．对 样品 1的不同部位进行分析，发现有两种不同的光谱图．其 中一条喇曼线的主峰(G峰) 位于 1537on～，是一条非对称 的宽谱带 ， 这是典型 的无定型碳结构的喇曼光谱 曲线 ． 当CH．含量高时易出现这种结果 ．另一条 喇曼线除 1537cm-。峰外．还在 1297cm-’处 出现蜂值 (D 峰)．样 品 2在 1297cm 处 为一小锐峰 ，与金剐石 1332cm- 峰相比， 该 D 峰向低频方向漂移 35~m～．D峰与 G 峰的分离强度 比 D)／，(G)能定性判断四面 体碳 (SP)和三角键碳(SP2)睁多少 “；根 据 Becman等人的计算模型 0)，可得知本 W avea~mbcr忙m ) 文沉积的膜 SP键 占优 ． Fig．1 Rltmanspectrum ofcarbon-diam ondfilms 3．2TEM 分析结果 用透射电子显