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《电力电子技术》2000 年第 5 期 　2000. 10 55 IGBT 综合电荷模型及其应用 Mixed Couping Chargecontrol Model of IGB T and its Application ( ) 西安理工大学 　张华曹 　 西安 　710049 ( ) 摘要 :提出一种 IGB T 及周边电路 栅驱动电路、缓冲电路、主回路 综合一体的电荷控制模型 ,并用模型分析了 栅驱动电阻 RG 、电容 CGC和 CGS 、缓冲电容 CS 、电阻 RS 等对开关波形及功耗的影响。实践表明 ,该模型是一种简单 实用的电荷控制模型。 Abstract :In the paper ,a new mixed couping chargecontrol model for IGB T is proposed. The model is constructed of IGB T and additional circuit including gate driving circuit ,buffer circuit and load circuit etc. This mode l is applied to analog affect of gate resistanc ,capacitance ,buffer capacitance and buffer resistance on switching wave and power loss. Experimen tation shows this model is simle and practical for usage. 叙词 : 电荷 　控制 　模型 Keywords :charge;control ;model 1 　前　言 入的空穴电流 , ine 是流过 MOS 管的沟道电子电流 IGB T 开关瞬态分析模型种类很多 ,有一维、二 in 通过 PNP 基区从发射结流出的分量 ,可假设 ine 维数值分析模型[1 ] 、电荷控制模型、SPICE 电路仿真 = in , ie = ipe + in 。 模型[2 ] 等。一、二维数值分析模型主要用于分析 IGB T 内部载流子、电流、电位和电场,与周边电路关 系极不紧密。现有的电荷控制模型牵涉到器件复杂 的结构及工艺参数 , 因此不适宜用于电路分析。 SPICE 电路仿真模型可用于电路仿真,但用于高压 大电流时程序不能正常运行。本文将 IGB T 看成为 PNP 双极晶体管和 VDMOS 管的复合器件 ,再将理 论上成熟的双极晶体管电荷控制模型与 VDMOS 管 的瞬态模型有机地结合起来 , 同时引入 IGB T 开关 工作条件下的相关周边电路 ,构成 IGB T 的综合电 荷控制模型。应用时 ,利用外部电流和 IGB T 内部 电荷的联系,采用电路方程消除体内电荷 qf 参数 , 拓宽模型的实用性和解析性。既使 IGB T 内部行为 和外部电路参数有机地结合 , 同时又回避了复杂的 器件结构参数。 ( ) ( ) 2 　IGBT 综合电荷控制模型的建立 a IGB T 　 b PNP 管 图 1 　IGB T 等效模型 IGB T 常被看成由一个 PNP 双极晶体管与一个