图像传感器的应用测量技术（续一）.pdfVIP

文章编号：080815 发送短信 “文章编号+评语代码”至 告诉我们您对此文的意见。 1．很好，有很高的参考价值 2一一般 ，有一定的参考价值 3一不好，没有参考价值 图像传感器的应用测量技术 c续一， 1 CCD工作原理 反型层电荷时，势阱的 “深度”与栅极电压UG的关系恰如 ①S与UG的关系，即如图l一4(a)空势阱的情况。 11CCD的基本工作原理 电荷耦合摄像器件 (CCD—ChargedCoupledDevice) 的突出特点是以电荷为信号的载体，而不同于其他大多数器 件是以电流或者电压为信号的载体。CCD的基本功能是电荷 宜窜酉自 的存储和电荷的转移，因此 ，CCD的基本工作过程主要是信 (b) 号电荷的产生、存储、转移和检测。以下将分别从这几个方 面讨论CCD器件的基本工作原理。 图1—1CCD栅极电压变化对耗尽区的影响 111电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS(金属一氧化物一半导体) 结构。如图l一1(a)所示，在棚极G施加电压UG之前P型半 导体中空穴 (多数载流子)的分布是均匀的，当栅极施加正 电压UG(此时UG小于等于P型半导体的阈值电压Uth)时， P型半导体中的空穴将开始被排斥并在半导体中产生如图 1—1(b)所示耗尽区。电压继续增加 ，耗尽区将继续向半导体 体内延伸 ，如图1—1(c)所示 ，UG大于Uth后，耗尽区的深 度与UG成正比。若将半导体与绝缘体界面上的电势记为表 面势，且用 S表示 ，表面势①S将随栅极电压UG的增加 图1—2表面势 ()『S与栅极电压UG的关系 (P型硅杂质 而增加，他们的关系曲线如图1-2所示。图1~2描述了在掺 浓度NA=1021m一3m。反型层电荷QINV=O) 杂为 1021cm～，氧化层厚度为0．1alm、0．3gni、0．4gm~N0．6gm 情况下，不存在反型层电荷时 ，表面势中S与栅极电压UG 的关系曲线。从表面势中S与栅极电压UG的关系曲线可以 看出，氧化层的厚度越薄 ，曲线的直线性越好，在同样的栅 极电压UG作用下，不同厚度的氧化层有着不同的表面势， 表面势中S表现了耗尽区的深度。 图1—3为栅极电压UG不变的情况下，表面势中S与反 型层电荷密度Qinv之间的关系。由图1-3可以看出，表面势 S随反型层电荷密度Qinv的增加而线性减小。依据图1—2 q ( ，m ) 与图1-3的关系曲线很容易用半导体物理中的 “势阱”概念 图1—3表面势[pS与反型层电荷密度QINS的关系 来描述。电子之所以被加有栅极电压的MOS结构吸引到半 导体与氧化层的交界面处，是因为那里的势能最低，在没有 图1—4(b)为反型层电荷填充I／3势阱时表面势收缩的 圈西 札电·碜佑筱 第11卷 37 INTERNATIONALMECHATRONICSTECHNOLOGY