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两个半导体激光器交叉注入的理论分析.pdf
第 卷 第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ,
18 4 Vol.18No.4
年 月 ,
2006 4 HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS A r.2006
p
文章编号: ( )
1001-4322 200604-0545-04
两个半导体激光器交叉注入的理论分析*
1 1 2 1
冯振中 , 陈建国 , 严地勇 , 张 菁
( 四川大学 电子信息学院,成都 ; 中国工程物理研究院 应用电子研究所,四川 绵阳 )
1. 610064 2. 621900
摘 要: 提出了一个复杂非线性动力学系统 交叉注入锁定半导体激光系统。针对其中最简单的两
激光系统,导出了描述它的方程组,解析求解了它们具有相同自由振荡频率时的定态解。结果表明,在相同耦
合条件下,锁定的频率范围比主 从方式扩大了大约一倍。从结果可以看出,即使是这种特殊系统,在锁定后频
-
率也可能会改变。
关键词: 半导体激光器; 交叉注入锁定; 速率方程组; 耦合系数
中图分类号: TN248.4 文献标识码: A
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1-6
外腔是实现宽条半导体二极管激光阵列( )锁相的重要手段之一 。随着对 功率要求的不断
LDA LDA
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7-10
提高,以及散热 等方面的考虑,商用大功率列阵发光单元的有源区宽度和发光单元间距都超过了100 m。
µ
对于这种 LDA 来说,发光单元间已不再有实质性的内建耦合机制。于是,外腔几乎成了实现 LDA 各发光单
元锁相的唯一选择。最简单的外腔锁相 LDA 系统包括一个由宽条发光单元构成的阵列,一个准直快轴方向
[ ]
光束的柱透镜和一个外腔反射镜 11 。在外腔中传输时,从 LDA 某一个发光单元发出的光经衍射和反射后再
回到LDA 的前端面,然后被耦合到与该发光单元邻近的若干个发光单元中去。于是,发光单元通过这种交叉
注入方式被耦合起来,最终实现锁相输
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