太阳能电池的等效电路和转化效率理论上限.pptVIP

* * 三、太阳能电池的等效电路 等效电路是描述太阳能电池的最一般方法。 1、理想pn结太阳能电池的等效电路 理想pn结太阳能电池可以用一恒定电流源Iph（光生电流）及一理想二极管的并联来表示。其等效电路如左图所示。其电流电压关系满足我们上一节所介绍的方程。。 I = IF-IL = Is[exp(qV/kT)-1]-IL 2、pn结太阳能电池的实际等效电路 实际上，pn结太阳能电池存在着Rs和Rsh的影响。其中， Rs是由材料体电阻、薄层电阻、电极接触电阻及电极本身传导电流的电阻所构成的总串联电阻。 Rsh是在pn结形成的不完全的部分所导致的漏电流，称为旁路电阻或漏电电阻。这样构成的等效电路如右图所示。 下面我们来分析一下串联电阻Rs和漏电电阻Rsh对光电池效率的影响。 根据图示的电路，对同一个太阳能电池，当入射光强度较弱时，IL较小，二极管电流和漏电流大小相差不多，此时，Rsh的影响较大。 I = IL-Is[exp(qV/kT)-1]-V/Rsh 漏电电阻对光电池输出特性的影响可用右图表示。可以看出，漏电电阻Rsh对光电流的影响较小，而对开路电压的影响较大。 入射光功率一定（100 mW/cm2)，并假设Voc=0.51V，Jsc = 30 mA/cm2，Rs=0。 当光照较强时，二极管电流远大于漏电电流，此时，Rsh对光电池的影响较小，而相反的，Rs的影响就变大起来。 I = IL-Is{exp[q(V+RsI)/kT]-1} 右图给出了Rs对光电池输出特性的影响。可以看出光电池的输出特性随着 Rs有着较大的变化，并且Rs对开路电压的影响几乎没有，但对短路电流却有很大的影响。 入射光功率一定（100 mW/cm2)，并假设Voc=0.51V，Jsc = 30 mA/cm2，Rsh=?。 四、太阳能电池转换效率的理论上限 1、太阳能电池的理论效率 太阳能电池的理论效率由下式决定： ? = Voc?Isc?FF Pin ? S 当入射太阳光谱AM0或AM1.5确定以后，其值就取决于开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的最大值。 下面我们就来分别考虑开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的最大值。 短路电流Isc的考虑： 我们假设在太阳光谱中波长大于长波限的光对太阳能电池没有贡献，其中长波限满足： ?max = 1.24(?m)/Eg(eV) 而其余部分的光子，因其能量h?大于材料的禁带宽度Eg，被材料吸收而激发电子-空穴对。假设其量子产额为1，而且被激发出的光生少子在最理想的情况下，百分之百地被收集起来。在上述理想的假设下，最大短路电流值显然仅与材料带隙Eg有关，其计算结果如图所示。 在 AMO和AM1.5光照射下的最大短路电流值。 开路电压Voc的考虑： 开路电压Voc的最大值，在理想情况下有下式决定： Voc = kT q ln( IL Is +1) 式中IL是光生电流，在理想情况即为上图所对应的最大短路电流。 Is是二极管反向饱和电流，其满足： Is = Aq(Dn/LnNA+Dp/LpND)ni2 ni2= NcNvexp(-Eg/kT) 显然， Is取决于Eg、Ln、Lp、NA、ND和绝对温度T的大小，同时也与光电池结构有关。为了提高Voc，常常采用 Eg大，少子寿命长及低电阻率（例如对硅单晶片选用0.2欧姆厘米）的材料，代入合适的半导体参数的数值，给出硅的最大Voc值约700mV左右。 填充因子FF的考虑： 在理想情况下，填充因子FF仅是开路电压Voc的函数，可用以下经验公式表示： FF = Uoc-ln(Uoc+0.72) Uoc+1 Uoc = Voc(kT/q)1/2 这样，当开路电压Voc的最大值确定后，就可计算得到FF的最大值。 综合上述结果，可得到作为带隙Eg的函数的最大转换效率，其结果示于下图中。 2、影响太阳能电池转换效率的一些因素 我们前面介绍了太阳能电池转换效率的理论值，这些理论值都是在理想情况下得到的。而太阳能电池在光电能量转换过程中，由于存在各种附加的能量损失，实际效率比上述的理论极限效率低。下面以pn结硅电池为例，介绍一些影响太阳能电池转换效率的因素。 *