基于QWIP的红外焦平面阵列读出电路的设计.pdfVIP

M1为注入管，M2为行选择开关；M3为复位管，：‰为积分电容。M1工作在亚阈值区，光电流通过 它在电容上积分；G。的作用是积分光电流将输入的电流信号转换为电压信号以提高输出信号的信噪 比。电路工作过程如下：在每帧开始时，令Reset为低电平，M3导通，M2关断，对积分电容复位充 电，使积分电容每帧都从一固定电平开始积分。当Reset为高电平的时候，M3关断，M2导通，此时， 探测器中的电流通过M1注入积分电容，积分过程开始。DI读出电路在探测器和积分电容之间跨接了 一个栅极电压恒定的MOS注入管，通过控制’，西的栅漏电压来为探测器提供较稳定的偏置电压，在光 电流k恒定时(A‰=O)，随着积分时间的增加，‰，减小，即‰减小，但由于注入管膨l的恒流 特性，‰并不随VDS改变(注入管仍在饱和区)，即△‰=0，由探测器的节点电流方程△拓△‰+ A‰可知，探测器的电流△如=0。所以，探测器的偏置并不会在积分期间随VDS的改变而改变。 2)暗电流抑制电路．电流存储电路：与背景信号强度相比，红外信号很弱，通常只有背景信号强 度的]／IONl／100。在该读出电路结构中，暗电流和信号电流直接在积分电容上积分，为了避免饱和现 象，积分电容就必须做得足够大，这就降低了读出电路的电荷灵敏度。因此，有必要在积分节点之前， 对像元输出信号中的暗电流进行有效的抑制。只对有用的光电流信号积分，这样将大大提高IRFPA的 信噪比，增大动态范围，并提高承开，A的灵敏度。 电流存储电路如图2中所示，在校正期间，没有光照在探测器上，所以光电流厶垃为零，臣Z]DI结构 的输出电流只有暗电流成分k。此时，M4导通，行选管M2关闭，肘赢=‰≈k。于是，暗电流将 对存储保持电容co充电。因为M4是导通的，即^‰。的栅漏极相连，肘。。工作在饱和状态，受MOS管 饱和电流方程和饱和漏、源电流的约束，当肘。。的栅源极电压充电到某一个与饱和漏、源电流有关的 值时，存储保持电容的电压不再上升。在校正之后，红外辐射照射探测器阵列，开关管M4关闭，行选 通管M2导通。同理，M一的栅源极电压将为某一个与流经M一的电流‰有关的电压值。忽略M4的 馈通效应时厶。=k+‰，为了减d、MOS管的馈通效应，串联一个M5，使M4由系统时钟控制，M5 由系统反相时钟控制。因为行选管M2在校正之后是导通的，所以输出到积分电路的积分电流将等于‰ 一厶咄，基本上就等于光电流‰，所以积分电容可以很小。 图2 电流存储电路 图3采样保持电路 3)相关双采样电路：1／噪声、低频噪声、高频噪声、KTC噪声和开关噪声等足读出前置电路中 最主要的噪声源。由于这些前级噪声可能被放大而传送到后面的电路，为了提高输出信号的信噪比和 235 动态范胃．必须与于消除或者削弱．国此聚用cDs技术来消除这蝗咩声(图3)。在每帧的秘分开始对 积分电容复位．采样保持脉冲sHl将复位后包含各种噪声的积分电容电压操持在采像电容c—f：；fjq 耔!分完成后，采样保特脉冲sH2将叠加有信号电压的积丹电容电压采样到采保电窖c2上，然后同Ht送 到后面的电压差分器巾占差分，以消除或削弱咀上各种噪声。 3电路仿真 nA， DI读出电路是采用s呲l|c模型进行16x16阵列电路仿真，仿真参数设置为：光电流为2～i2 步长值为2nA，略电漉l=100Na．温度r=77K．积分电容c■=125pF，积分时间70=10咿· 3V。 vDD=3 蹦4是阵列秘分电路对不同的光电流进行扫描的仿真结艇吲。阁rh横轴表示时间，纵轴表示电JE 看出，随着光lU流的增大，B}分电容的咆雎蓐值越大：也r口以打Ⅲ，电路已纬有效的抑制了啼l也ⅫLfl勺 影响。 引 、’≮≤ 崮4积丹电窖的电压的仿或曲挫 引一 图5是对不同的光电流进行相关烈采样仿真的结果圈。圈中．横轴表示时间，纵轴表示电压变化。 图巾B部分，从上到下曲线依次从2nA到12nA的CDS采样波形；A部分的曲线是采样前的输Hj信 号(Vint0=2109V)，从F到f。曲线依次从2nA到12nA的积丹输出信号。经过CDS采样后，输