氧气浓度对ZnO薄膜表面形貌和微结构的影响.pdfVIP

第28卷 第1期 电 子 元 件 与 材 料 V_01．28NO．1 2009年 1月 ELECTRoNIC CoMPONENTS AND MATERIALS Jan．2009 氧气浓度对ZnO薄膜表面形貌和微结构的影响 肖 慧 ，徐哈宁 ，朱 昌 (1．东华理工大学 核工程技术学院，江西 抚州 344000；2．西安工业大学 光电工程学院，陕西 西安 710032) 摘要：采用反应磁控溅射技术，在SiO基底上制备了ZnO薄膜。通过原子力显微镜 (AFM)和x射线电子能 谱仪 (XPS)对薄膜表面形貌及微结构进行了表征，分析了氧气之体积分数 02)为40％一60％时，对薄膜表面形貌 和微结构的影响。结果表明：随着氧气体积分数的增大，薄膜C轴晶向生长减弱，表面形貌趋向平整，氧化反应程 度增强； 02)为60％时，薄膜表面粗糙度约为3am，其内部的r(Zn：O)接近 l：l。 关键词：无机非金属材料；ZnO薄膜；氧气浓度；形貌：结构 中图分类号：0484．1 文献标识码：A 文章编号 ：1001．2028(2009)01．0028—03 Effectsofoxygenconcentrationonsurfacemorphologyand microstructureofZn0 thinfilms XIAO Hui，XUHaning，ZHU Chang (1．SchoolofNuclearEngineeringandTechnology，EastChinaInstituteofTechnology，Fuzhou 344000，JiangxiProvince， China；2．SchoolofOpto—electronicalEngineering，Xi’anTechnologicalUniversity，Xi’an 710032，China) Abstract：ZnO thin filmsweredepositedon SiO2substratesby reactivemagnetronsputtering．Effectsofoxygen concentration(volumefractionrangeof40％ 一60％ )onsurfacemorphologyandmicrostructureofthethinfilmswere studiedbyAFM andXPS．Resultsshow thatwithincreaseofvolumefractionofoxygen．thec—orientationgrowthofthe thinfilmdecreases；surfacemorphologiesclosetoflatandoxidationreactionlevelincreases．When 02)is60％，theZnO thinfilm withbettersurfacemorphologyandidealmicrostructureisobtained．Itssurfaceroughnessisabout3nm andmole ratioofZn：OofinnerisclosedtOl：1． Keywords：non-metallicinorganicmaterial；ZnOthinfilm；oxygenconcentration；morphology；structure ZnO 是一种六方纤锌矿结构的半导体材料，具 著影响一J，这方面的研究虽取得一定进展，但对薄膜 有资源丰富、价格低廉、高的化学和热稳定性和较 生长过程的物理及化学机制 尚缺乏深入认识I5J。基于 好的抗辐照损伤能力，适合做长寿命器件等多方面 目前的研究现状，笔者针对未掺杂 ZnO薄膜生长过 的优势，被认为是一种理想的室温紫外光 电器件材 程中重要的工艺参数——氧