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液体电介质的击穿 液体 电介质 高度纯净去气液体电介质 含气纯净液体 电介质 工程 纯液体 电介质 一、高度纯净去气液体电介质的电击穿理论 （一）以碰撞电离开始作为击穿条件 1.击穿机理 液体介质中由于阴极的场致发射或热发射的电子在电场中被加速而获得动能，与液体分子碰撞而导致碰撞电离. 电子在碰撞液体分子的同时将能量传递给液体分子，电子损失的能量都用来激发液体分子的热振动。 一次碰撞中，液体分子平均吸收的能量为一个振动能量子h?。 当电子在相邻两次碰撞间得到的能量大于h?，电子就能在运动过程中逐渐积累能量，至电子能量大到一定值时，电子与液体相互作用时便导致碰撞电离。 2.定量分析 设电子电荷为e,电子平均自由程为λ，电场强度为E 则碰撞电离的临界条件为 eEλ=Ch? 如果把这个条件作为击穿条件，则击穿场强可写为 C-大于1的整数 如何确定电子平均自由行程？ 以直链型碳氢化合物液体为例 设液体分子浓度为N，分子由各种CH基团组成，Sj代表第j个基团的碰撞截面，设一个分子主链由m个原子构成，原子间有效距离为h0，线型分子的有效半径为a，则一个分子的总碰撞截面为 S=ΣSj=2a(m-1)h0=s0(m-1) 2h0 2a 直链型碳氢化合物分子模型 (m-1)h0 已知电子平均自由程与碰撞截面的关系为 液体分子浓度 M -液体分子量 ρ -密度 N0-阿佛伽德罗常数 代入上式，得 从而根据击 穿场强的表达式得 固有振动频 率平均值 （二）以电子崩发展至一定大小为击穿条件 类似气体放电 条件的处理 定义α为液体介质上一个电子沿电场方向行径单位距离平均发生的碰撞电离次数 单位距离 碰撞总数 电离几率 设击穿条件为 电极距离 其他参数一定时 Eb∝1/lnd 二、含气纯净液体电介质的气泡击穿理论 两串联介质中电场强度与介质介电常数成反比 气泡中电场强度高于液体 而气体的击穿场强远低于液体 气泡先发生电离 气泡温度升高，体积膨胀，促进电离 电离产生的高能电子碰撞液体分子， 使液体分子电离产生更多气体， 扩大气体通道，当气泡在两极间形成“气桥”时 液体介质就能在此通道发生击穿 （一）热化气击穿 夏博(Sharbaugh)提出，当液体中平均场强达到107~108V/m时，阴极表面微尖端处的场强可能达到108V/m以上。由于场致发射，大量电子由阴极表面的微尖端处注入到液体中，估计电流密度可达105A/m2以上 发热量可达1013J/s?m3，足以使附近的液体气化。 设温度为T0的m克液体加热至沸点Tm并气化 所需热量为ΔH，则 ΔH=m[c(Tm-T0)+lb] 液体比热 液体气化热 由于阴极场致发射电子，单位体积、单位时间内引起的能量损耗 u 可近似地用下列半经验公式表示，即 u=AEnτ n-代表空间电荷影响的常数 τ-液体在电极粗糙处场强区滞留的时间 ΔH=m[c(Tm-T0)+lb] 当液体得到的 能量等于电极 附近液体气化 所需的热量时 产生气泡 u=ΔH 击穿场强Eb （二）电离化气击穿 在研究气体放电对绝缘油的影响时发现，油在放电作用下产生低分子气体，其中主要是氢气、甲烷等。 过程 氢的游离基 CnH2n+2→CnH2n+1+H0 CmH2m+2→CmH2m+1+H0 2H0→H2↑ CnH2n+2+CmH2m+2→ Cn+mH2(n+m)+2 液体介质中也会 发生类似的液体 放气现象 解释 电离产生的高能电子使液体分子C-H键（C-C键）断裂 电离化气的观点已经得到实验证明。 用分光光度计观察水中放电现象发现，放电时产生的气体并不是蒸气，而是氢气。 对绝缘油击穿时的气体进行光谱分析，发现不存在残留的空气和油的蒸气，主要存在的是氢气。 电离化气和热化气一样，仅讨论了产生气体的原因，而没有解决气泡出现与液体击穿现象间的定量关系问题 利用分光光度法对物质进行 定量定性分析的仪器 通过测定被测物质在特定波长处 或一定波长范围内光的吸收度， 对该物质进行定性和定量分析 三、工程纯液体电介质的杂质击穿 （一）水分的影响 （二）固体杂质的影响 液体介质中 含水分 悬浮于 液体介质中 溶解于 液体介质中 对击穿电压 影响不大 使击穿电压 明显下降 *水与纤维杂质共存时，水分的影响更为严重 吉孟特专门研究了含水液体介质的击穿。他认为当水分在液体中呈悬浮状态存在时，由于表面张力的作用，水分呈圆球状，均匀悬浮在液体中，一般水球的直径约为10-2~10-4cm。 在外电场作用下，由于水的介电常数很大，水球容易极化而沿电场方向伸长成为椭圆球，如果定向排列的椭圆水球贯穿于电极间形成连续水桥，则液体介质在较低的电压下发生击穿。 水桥击穿模