纳米硅微结构的测量与控制.pdfVIP

第 31卷第 4期 微 电 子 学 Vo1．31，№ 4 2001年 8月 M ic~electronic Aug．2001 文章编号：1004—3365(2001)04-~242—04 纳米硅微结构的测量与控制 刘 刚，于 军 ．谢基凡 (华中科技大学 电子科学与技术系．湖北 武汉 430074) 摘 要 ： 文章应用电化学方法获得 7纳朱硅徽拉材料。通过TEM 的分析测算，知其平均粒度在2 ～ 5nm之问。在暗室中．能见其萤光辐射。井在同一溶液中，采用不同电流密度和反应时间，制作 了 不 同的硅微粒薄膜样品；利用基于分形理论和计算机 图像处理技术的软件 ，对样品电镜照片的图像 灰度值进行计算度数据处理，求得 r相应样品的分开j参数 ，找 到7分形参数随微粒大小茂密度而变 化的规律 提 出r获得均匀一致 、粒径可控的纳朱硅材料的新方法。 关键词 ：硅 ；蚋朱微枉 ；徽结构；分形几何学 中国分类号： TN30412 文献标识码：A M easurementandControlonM icrostructureofSiliconNanOparticles ’ LIU Gang，YU Jun，XIEJi·fan (Dept．1~lee．Sol8LTethno1．．Hua~rhongUniv．Sei Technol，Wuhan．Hubci430074． 尼 China) Abstract： Samplesofsiheonnanopartmleshavebeenobtainedbyanew electrochemicalmethod．Thenanoparti— clesaremeasuredtobe2～5nmbyTEM Itsfluorescenceradiationcanbeseeninthedarkroom．Differentsamples ofsiliconnanopartitlesarepreparedinthesamesolutionwithdifferentelectriccurrentandreactLontime．Software basedoD．fractM theoryand computerimageprocessingtechnologyisusedtofindfractalparametersofvarioussill— connanopart~les-Regularityofthe variationoffractalparameterswiththe sizeanddensffyofnanopart~leshas beendiscovered．Thereby．anewmethodisproposedformakinguniform andcontrollablesiliconnanoparticles． Keywords： Sd~on；Nanoparticle；Microstructure；Fractalgeometry EEACC： 2520C 工艺及应用等方面取得了较大的进展。由于它独特 1 引 言 的结构．其晶粒、晶界．乃至缺陷的尺寸均在 nm量 级．使之具有常规材料所没有的奇特性能，如超强的 硅是现代 电子器件及集成电路芯片的主要材 吸波性、异常的磁性，熔点低、韧性好、强度大、比热 料．它资源丰富、价廉物美、制作工艺成熟、不污染环 高等特点。已在隐形 、磁记录、传感以及人们生产、生 境。随着Ic芯片特征尺寸向0．05 m迈进，对纳米 话的各个方面得到了实际的应用 美国对纳米材料 芯片技术，特别是纳米单元电子器件的研究，显得