SGEMP模拟实验方法探讨.pdfVIP

低能电子柬，要做到这点是非常困难的．因此，就目前情况来看，这两种偿试都不易实现． (3)利用电流注入法做SGEMP实验 国外早在80年代．在sTm坞AT卫星上首次用电流注入 法进行了sGEMP模拟实验．图l示出了通过电流注入和x射 线源激励在卫星顶部表面缝隙中产生平均轴向电场的时间图； 像．峰值和上升时间是严密重合的。知道了cI(电流注入)产生己 的场与x射线照射产生的场比较好的吻合，就可以推断出某； 种强度的脉冲产生的场与某种强度的x射线照射产生的场相 对应．这就是用电流注入法做sGEMP模拟实验的基本出发 点． 图1平均轴向电塌的时问图像 3测试结果分析 系统电氆脉冲(sGEMP)，顾名思义是系统本身产生的电 磁脉冲t对SG踟P的研究．主要是对X射线照射金属物体后。经过一系列效应在其表面上产 生表面电流的研究．要想测到这样的表面电流，其探头必须具有独特结构，探头要确保50n特 性阻抗输出的同时，其端面(敏感器件)要与被测试体靖面平齐。其支撑结构与被潞试体是公共 的．如照片所示．测得信号波形如图2所示． 图2平■电流探头厢片及测得的信号波形 出于实际渊试时比理论情况要复杂得多，故与理论谴形有一定的误差，但涓得波形基本上 是欲测波形的真实反映． 用电流注入法做sGEMP实验，不需要X射线照射到金属表面产生光电效应，打出电子， 形成电子云，然后在试体周围产生电磁场．并在试体表面产生表面电流等一系列过程，这样的 过程必须在真空中进行，所以用X射线源做sGEMP模拟实验，必须建立足够大的真空环境， 而用低能电子柬做S(H孙口实验．也需要由二极管阴扳发射电子。通过阳极靶面，在阳极靶面 前端产生电子云，这种过程也必须在真空中进行，不但要求足够大的真空环境，并且要求产生 的脉冲信号持续时间短，改装REB使其产生低能电子柬是不易做到的，而用电流注入法做 sGEMP模拟实验不需要上述的物理过程。这样就体现了该方法的简单、易实施、成本低以及’ 247 特有的灵活性等优点． 上述所做的实验。由于条件限制，还不是正规的CI模拟实验．另外还应该把在同一条件下 用CI与相对应强度的x射线照射所产生结果相比较，这项工作就比较完善． 在遘个课题的研究中，得到副总师邱爱慧研究员及乔壁扛院士的指导。在此表示感谢． ●考文献 1 利用Dl肾进行9黜效应实验的理论分折．芏立霜、厨辉、荆矗． of sGEMP．贼Tr哪·Nud．Sd．，Ns一22(6)11975· 2砥￡台ic啦蛐蛐ion on SGEMP-Sinluhted Study Experimellt LiuYn (Nofth删h—tIlde ofN妇T|曲瑚b盯，P．0．B江69—16。蜀’柚．7l∞2t) ^h由ld k k hw m埘．．nd岫池妇h-l ‰mt舢of蚴船一SimI心蛳t odI∞-ne嘲d乜of蛔岫 酬．h出。稍妇theme州of删t纽ject洒主。m瞅邮础咄岫the me·棚捌岫htlIe nl_b-mamtedpobem牟们粕IndⅡ．1，土ed抽thep归． pt口k) (Key X-ny W∞dI·圈∞呻m‘g喊ic＆岫 (上接第261页，∞洫ued钿mp‘醇261) 5