一种用扫描电镜制作表面纳米结构方法.docVIP

第２７卷增刊  半导体学报  Ｖ０１．２７  Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ ２００６年１２月 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＳＥＭＩＣｏＮＤＵＣＴｏＲＳ Ｄｅｃ．，２００６  一种用扫描电镜制作表面纳米结构的方法＊  朱念麟１  张  晋１’’  陈尔纲１  柏  晗１  张  茜１  王光灿１  郭俊梅２  窦菊英１ （１云南大学物理系，昆明 ６５００９１） （２贵研铂业股份有限公司，昆明 ６５０２２１）  摘要：提出了一种用扫描电镜制作表面量子点、纳米孑Ｌ和纳米线阵列的方法，该方法是在数字式扫描电镜的阴极 自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器，其内阻远小于自偏压电阻；用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为 控制信号，经倍频和放大，加到电子枪栅极上控制电子束的通断，使电子束由连续扫描变为规则的点、线扫描，不需 用模板即可以“直写”方式在涂有电子束光刻胶（ＰＭＭＡ）的样品上实现点、线曝光，形成周期性量子点、纳米孔和纳 米线阵列． 关键词：数字式扫描电镜；负电压发生器；表面纳米阵列；电子束刻蚀 ＰＡＣＣ：６１４６ 中图分类号：ＴＮ４０５ 文献标识码：Ａ 文章编号：０２５３－４１７７（２００６）ＳＯ一０１８６—０３ ＳＰＭ）的最小线宽可小于３０ｎｍ，并且可使写速度变 １ 引言 得非常快哺￣７］．可是，成本高仍然是存在的问题． 本文提出一种用扫描电子显微镜（简称扫描电 纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基 础之一，其制作技术是整个纳米技术的核心基础．纳 米光刻技术是纳米结构制作的常用方法，它包括波 前工程、电子束光刻、离子束光刻、ｘ射线光刻、原 子光刻、干涉光刻、极紫外光刻等．它们都有望实现 纳米量级的图形制作，但各种技术可实现的分辨率 极限有所不同．５０ｎｍ以上分辨率可用１９３ｎｍ光刻 结合波前工程ｎ１和干涉光刻心１实现，约５０ｎｍ的分 镜）制作表面纳米阵列的简便方法，该方法采用常规 数字式扫描电镜的行扫描时钟信号作为控制信号， 经过倍频和放大加到扫描电镜的电子枪栅极上，控 制电子束的通断，使电子束由连续扫描变为规则的 点、线扫描，不需用模板，即可以“直写”方式直接在 涂有电子束光刻胶的样品上实现点、线曝光，形成周 期性量子点、纳米孔和纳米线阵列． 辨率可用极紫外光刻［３］．而电子束光刻、离子束光 刻、ｘ射线光刻、原子光刻可望实现几个纳米的分 ２ 电路控制原理 辨率．但这些技术的完善还有待于光学系统、抗蚀 剂、精密控制等相关技术的成熟．近年来，大规模集 成电路和纳米器件快速发展，光学光刻的分辨率已 经满足不了需要．由于电子束的分辨率可达几个纳 米量级，在研制集成电路和纳米器件过程中，电子束 光刻是最有效的方法之一．电子束曝光技术发展的 一个新方向是采用扫描隧道显微镜作为曝光手段， 以实现原子级分辨率Ｈ］．然而，这方面的研究还处于 初级阶段，真正实现能够适用于纳米加工的电子束 曝光技术还存在效率低、成本高的问题．为了克服高 分辨光刻的产量和效率问题，目前一个主要的研究 方向是采用平行直写阵列方式来成倍提高写速度， 基于微机械技术的扫描探针显微镜光刻技术（ｐ－． 本文所述的方法是利用扫描电镜具有宽扫描和 高分辨率的特点，在扫描电镜的阴极自偏压电路中 串联一个可控的负电压发生器，其内阻远小于自偏 压电阻，如图１所示．该负电压发生器由倍频电路、 压控振荡器、升压变压器、整流电路和传统自偏压电 阻组成．用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控 制信号，经倍频电路后与压控振荡器的输入端相连， 再经过压控振荡器及升压整流电路放大后，与扫描 电镜的栅极自偏压叠加，接在扫描电镜的阴极和栅 极之间．当负电压发生器不产生负电压时，扫描电镜 正常工作．当它产生负电压时，此电压足以抑制从扫 描电镜的电子枪阴极发出的电子束无法穿越栅极． 由于负电压发生器输出的方波信号频率与扫描电镜  ＊国家自然科学基金（批准号６０３６１００１，云南省自然科学基金（批准号：２００２Ｅ０００８Ｍ）和北京市传感器重点实验室开放 课题（批准号资助项目 十通信作者．Ｅｍａｉｌ：ｚｈａｎｇｊｉｎ＠ｖｉｐ．ｋｍｌ６９．ｎｅｔ ２００５．１２．１７收到 　万方数据 ２００６中国电子学会 增刊  朱念麟等：  一种用扫描电镜制作表面纳米结构的方法  本身的行扫描信号频率成整数倍，因而，可使电子束 从连续扫描调整为规则的点、线扫描，在涂有电子束  光刻胶的样品表面制作出径向尺度和间距均为纳米 级的周期性量子点、纳米孔和纳米线阵列．  信 雄瑁。  一  Ｋ。 工 广］ 占Ｌ亡Ｅ ＳＧ３５２５ ，专 １０ ９０１３ 粤压控振荡器  ．