基区复合对nSipSi_(1-x)Ge_xnSi晶体管共射极电流增益的影响.pdfVIP

　第 20 卷第 3 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 3　 V o l N o 　1999 年 3 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ar 基区复合对 1- x x 晶体管 nSi pSi Ge nSi 共射极电流增益的影响 安俊明　李建军　魏希文 (大连理工大学物理系半导体教研室　大连　116023) 沈光地　陈建新　邹德恕 (北京工业大学电子工程系　北京　100022) 摘要　 采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 应变基区异质 nSi pSi1- x Gex nSi 结双极晶体管(HBT ) 共射极电流放大系数 的影响, 给出了 Si1- x Gex HBT 的 Gumm el 图、平 衡能带图. 得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起 下降的主要因素, 并给出了减小基 区复合电流的Ge 分布形式. : 0290, 2560 EEACC J 1　引言 Si1- x Gex 应变基区异质结双极晶体管(HBT ) 是一种共射极电流增益高、频率特性好、与 现代 Si 工艺相兼容的新型器件. 自从八十年代末期用分子束外延方法首次制造Si1- x Gex [ 1 ] [ 2, 3 ] HBT 以来 , 科研工作者们为改善其性能从理论、实验上进行了广泛的研究 . 然而实验 发现, 与 双极晶体管( ) 相比, 在提高增益的同时, 基极电流也比 Si BJT Si1- x Gex HBT Si BJT 的高, 其共射极增益并没有H aram e 等人理论预言的随基区 Ge 百分比含量增加呈指数增 [ 4 ] [ 5, 6 ] 大 , 这就限制了 Si1- x Gex HBT 增益的进一步提高. 对这一现象虽有一些解释 , 但都是 定性分析. 本文首次采用二维数值模拟方法定量分析了 Si1- x Gex HBT 基极电流增大的原 因, 并提出了降低基极电流的Ge 分布形式, 进而为制备高性能的 Si1- x Gex HBT 提供理论指 导. 2　器件模型 模型方程由电子、空穴连续性方程及泊松方程组成. 在二维稳态情形下, 可略去与时间 　 国家自然基金资助项目 安俊明　男, 1969 年出生, 硕士研究生, 主要从事半导体器件的计算机模拟 李建军　男, 1966 年出生, 讲师, 主要从事新材料和新器件的计算机模拟 魏希文