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品牌型号
整机输出
用量 TOSHIBA FUJI IPS TOSHIBA
（第二代） TOSHIBA
（第三代） 2SK2837 FMH23N50E FSW25N50A 2SK4108 TTK2837 单机用量8PCS 140A 140A 140A 135A 125A 单机用量12PCS 180A 180A 180A 160A 160A 2SK2698 FMH16N50E FSW17N50A 2SK4107 TTK2698 单机用量8PCS 130A 130A 120-130A 120A 120A 单机用量12PCS 160A 160A 155-160A 150A 150A 2SK2611 FMH11N90 FSW11N90C 2SK3878 --- 单机用量12PCS 180A 185A 185A 160A 单机用量16PCS 200A 230A 215A 185A 单机用量20PCS 230A 250A 240A 210A 结论 FUJI TOSHIBA 第一代功率MOSFET 实际输出电流明显强于后面第二代第三代MOS
IPS MOSFET 因为实际电流余量较大，内阻低，发热小。 实际整机输出电流达到东芝最老版本的输出电流。 理论依据 1 美国技术， 进口晶圆。 （在美国有两项MOS专利）
2 焊机瞬间冲击电流大，IPS所用制造半导体工艺为平面工艺，晶圆大。抗冲击能力强。 瞬间大电流来时， 散热快。各个焊机MOS参数应用关键点，已掌握了解。
3 所留余量大，内阻低， 管子发热小。
4 生产设备均同进口大品牌一样，晶圆切割，流片，掺杂，封装，检测，出厂均为自己控制。 保证产品一致性。 注释 室温40度。
实际暂载率60%.
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焊机场效应管实际输出电流分析对比数据
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