硅太阳电池开发路线图.docVIP

硅太阳电池开发路线图出自：Els Parton，Guy Beaucarne，IMEC 光伏产业增长强劲，过去十年的年平均增长率达40%。预期未来十年这一增长率将保持在25-40%。其结果会使全世界减少对化石燃料的依赖，减少与发电相关的CO2的排放。 基于晶体硅的太阳电池现在主宰光伏市场，其市场占有率超过90%。当前多晶硅光伏组件的成本中，约50%与硅片有关。主要均匀分布在材料成本、晶体生长和硅片制作三方面。必须认识到，光伏组件所用硅片价格取决于多晶硅料的成本和可供资源。现今，光伏产业面临多晶硅料的短缺，硅片价格上涨。由此很明显，减少太阳电池中昂贵的电子级硅的消耗就能降低太阳电池的成本。达到这一点有多种不同的途径：用薄硅片，以100-150μm厚的硅片替代常用的220μm厚的硅片；或者在低成本衬底上应用薄膜晶体硅（厚度小于20μm）。比利时IMEC研究所以其对PV技术的洞察，比较了薄硅片太阳电池和薄膜太阳电池二者的路径，确定了发展路线图（图1）。 体硅太阳电池“体硅”太阳电池是基于自支撑的硅片，厚度为180-240μm。大多数大型商用太阳电池工厂现在采用多晶硅片。硅片通常是p-型掺杂的。N型杂质扩散在硅片上面，这样就在表面下几百纳米处形成p-n结。 然后，在太阳电池的正面加防反射镀层（ARC，大都是氮化硅），增加耦合进入太阳电池的光数量。ARC层还有表面钝化作用，它可以防止载流子在太阳池表面的复合。为了进一步减少反射损失，在做其它工艺步骤前常常将太阳电池的表面制绒，为光线进入电池结合提供多重机会。 接着实现金属接触。在背面制作全面积金属接触，通常是丝网印刷金属浆料（铝）。在正面，用金属浆料（银），以丝网印刷网状金属接触。金属接触要进行短时间退火，将其烧结并使正面接触侵蚀穿过ARC层。最后，各太阳电池用细金属带互相连接，组装成组件或“太阳电池板”。 硅片越来越薄时，上述的传统太阳电池工艺遇到了一些问题。其中之一是与在整个背面加铝合金有关。合金工艺及硅与铝之间的热失配引起应力场扩展，使得硅片明显弯曲。这在硅片处理和组件制造中会产生很多问题。另一问题是背面的载流子复合。背面区域高掺杂铝（称为“铝背场BSF”），只能提供中等的表面钝化。对于很薄的电池片，背面的复合现象非常重要，会引起短路电流密度和开路电压二者的损失。 i-PERC太阳电池概念为了规避薄硅片制造中的这些问题，IMEC开发了i-PERC工艺。PERC（passivated emitter and rear cells，钝化发射极和背表面电池）概念是为实验室型高效太阳电池提出的。“i”代表“工业的”，其意是指，与PERC不同，这一工艺是基于工业应用技术。i-PERC工艺与标准工艺不同，因为不再把铝直接淀积在硅的背面。而是用低温淀积技术淀积SiO2/SiN介质层，然后用激光打洞，最后是铝丝网印刷，烧结形成穿过孔洞的局部背场（BSF）接触。这样，大部分硅与铝隔离，减少了背表面复合，从而提高了短路电流和开路电压。i-PERC背面结构也改善了光线的束缚，因为在1000nm以上红外波长处，它比Al-BSF有更多的反射。在1100nm处，Al-BSF的背反射率为64%，而i-PERC背反射率是91%。这体现了净增长0.9mA/cm2，或总效率提高4%。此外，对i-PERC太阳电池来说，完全消除了弯曲问题（即使硅片薄至80μm），因为由铝合金工艺引起的应力只是局部的。 i-PERL太阳电池概念PERL（passivated emitter, rear locally diffused，钝化发射极，背面局部扩散）概念是为实验室型小面积高效率太阳电池提出的。它与PERC概念有关，但特别之处是在背面局部区域有硼掺杂。由于在扩散区缺少少数载流子，背接触表面处的复合速率就进一步降低。文献中已经证明，实验室条件下用PERL概念制作的小面积晶硅太阳电池能达到一个太阳的效率接近25%，采用对体硅寿命谱和表面钝化所做的实际假定时，这一性能距可能达到的最大效率（26%）已不远。 IMEC挑战的是开发大面积PERL电池的工艺流程，以及工业上可应用的技术，这些技术目前只是常用在先进的微电子或封装场合。 I2-BC太阳电池概念把正面的金属栅格去掉有很多优点：（1）可产生更多有效的半导体面积，因而有可能增加电池效率；（2）有可能大大降低组件装配成本，因为全部外部接触均在单一表面上；（3）从建造结构的观点看来提供了增值，因为汇流条和焊线串接存在引起的视觉不适被组件背面替代。当前背接触太阳能电池的研究活动一方面是组件制造，另一方面是开发背接触太阳电池的新概念，重点是便于转换到生产中的工艺技术的使用。 超薄体硅太阳电池（U-电池概念）将来的薄硅片太阳能电池可能薄至40μm。达到这一点的主要挑战是怎样生产如此