走进光电世界之二-光电.x[修复的].pptVIP

* 发展方向 多功能 高分辨率 高灵敏度 超微型化 数字化 课外参考材料 中国光学 期刊网  * * 实际使用中可以根据光源性质来选择光电池，反之，也可根据现有的光电地来选择光源。 P2极加上同样的电压时，由于两电势下面势阱间的耦合，原来在P1下的电荷将在P1、P2两电极下分布（t=t1） t0 t1 t2 t3 Ф 0 Ф1 Ф2 Ф3 t 当P1回到低电位时，电荷包全部流入P2下的势阱中（t=t2） t0 t1 t2 t3 Ф 0 Ф1 Ф2 Ф3 t 然后，P3的电位升高，P2回到低电位，电荷包从P2下转到P3下的势阱（t=t3），即使P1下的电荷转移到了P3下 t0 t1 t2 t3 Ф 0 Ф1 Ф2 Ф3 t t0 t1 t2 t3 Ф 0 Ф1 Ф2 Ф3 t P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 t=t0 t=t1 t=t2 t=t3 随着控制脉冲的分配，少数载流子便从CCD的一端转移到最终端。终端的输出二极管搜集了少数载流子，送入放大器处理，便实现电荷移动。 线型CCD图像传感器 由一列光敏元件与一列CCD并行且对应的构成一个主体，在它们之间设有一个转移控制栅。 转移栅 光积分单元 输出 线型CCD图像传感器 当入射光照射在光敏元件阵列上，光敏元件聚集光电荷，进行光积分。 在光积分时间结束时，转移栅上的电压提高(平时低电压)，与CCD对应的光敏元件电极也同时处于高电压状态。 转移栅 光积分单元 输出 线型CCD图像传感器 然后，降低光敏元件电极电压，各光敏元件中所积累的光电电荷并行地转移到移位寄存器中。 当转移完毕，转移栅电压降低，光敏元件电极电压回复原来的高电压状态，准备下一次光积分周期。 同时,在电荷耦合移位寄存器上加上时钟脉冲,将存储的电荷从CCD中转移,由输出端输出。 光积分区 输出 转移栅 目前，实用的线型CCD图像传感器为双行结构。单、双数光敏元件中的信号电荷分别转移到上、下方的移位寄存器中，然后，在控制脉冲的作用下，自左向右移动，在输出端交替合并输出。 面型CCD图像传感器 面型CCD图像传感器由感光区、信号存储区和输出转移部分组成。 目前存在三种典型结构形式。 析像单元 输出栅 (a)行传输 (b)帧传输 二相驱动 视频输出 ? 行 扫 描 发 生 器 输出寄存器 检波二极管 二相驱动 感光区 沟阻 P1 P2 P3 P1 P2 P3 P1 P2 P3 感光区 存储区 视频输出 串行读出 光栅报时钟 二相驱动 输出寄存器 检波二极管 视频输出 垂直转移 寄存器 感光区 二相驱动 (c) 行间传输 CMOS：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 互补金属氧化物半导体。 2）．CMOS 工作原理 利用光电二极管进行光电转换，光线越强、电流越大，从而将图像转换为数字数据。 每个象素都邻接一个放大器及AD转换电路，电荷信号直接放大并转换成数字信号。并可分别由两个方向的地址译码器进行选择。 上世纪60年代末期美国贝尔实验室提出固态成像器件概念 70年代初CMOS传感器制造成功 80年代末，英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型 图像传感器件 1995年高性能CMOS有源像素图像传感器由喷气推进实验室首先研制成功 1997年英国首次实现了CMOS图像传感器的商品化 2000年日本东芝公司和美国斯坦福大学开发的 CMOS-APS已成为开发超微型CMOS摄像机的主流产品 　 CMOS与CCD的研究几乎是同时起步，但由于受当时工艺水平的限制，CMOS的图像质量差、分辨率低、噪声降不下来和光照灵敏度不够，因而没有得到重视和发展。 而CCD器件因为有光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点一直主宰着图像传感器市场。 但是，集成电路设计技术和工艺水平的提高，CMOS图像传感器过去存在的缺点，现在都可以找到办法克服，而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的，因而它再次成为研究的热点。 都采用感光元件作为影像捕获的基本手段，感光元件的核心都是一个感光二极管，其在接受光线照射之后能够产生输出电流，而电流的强度则与光照的强度对应。 工作原理 但在周边组成上，CCD包括一个用于控制相邻电荷的存储单元，感光二极管占据了绝大多数面积，也即CCD感光元件中的有效感光面积较大，