法制备硅系纳米复合薄膜材料.pdf

贾 嘉：PCVD 法制备硅系纳米复合薄膜材料 3201 PCVD 法制备硅系纳米复合薄膜材料 贾 嘉 （中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海 200083 ）1 摘 要：纳米复合薄膜材料由于具有传统复合材料和 缘体、半导体/金属、半导体/绝缘体、半导体/高分子 现代纳米材料两者的优点，成为重要的前沿研究领域 材料等，而每一种组合又可衍生出众多类型的复合薄 之一。其中半导体纳米复合材料，尤其是硅系纳米复 膜。其中半导体纳米复合薄膜，尤其是硅系纳米复合 合薄膜，由于具有独特的光电性能，加之与集成电路 薄膜，由于具有独特的光电性能，加之与集成电路相 相兼容的制备技术，有着广泛的应用前景。近年来关 兼容的制备技术，使其在光电器件、太阳能电池、传 于纳米复合薄膜的研究不断深入，但仍有许多问题没 感器、新型建材等领域有广泛的应用前景，因而日益 有完全解决。本文围绕硅系纳米复合薄膜的材料特 成为关注焦点[2] 。 点，说明了等离子体化学气相沉积(PCVD)技术的工 近年来关于纳米复合薄膜的研究不断深入，取得 作原理和装置结构，以及该技术在硅系纳米复合薄膜 了许多重大的突破。人们利用热蒸发、溅射、等离子 制备中的独特优点。并以氮化硅薄膜为重点，介绍纳 体气相沉积等各种方法制备了 Si/SiOx 、Si/a-Si:H、 米复合薄膜材料的PCVD 制备技术。文章最后对硅系 Si/SiNx 、Si/SiC 等纳米复合薄膜。但仍有许多问题， 纳米复合薄膜的在光电技术等各个领域的应用前景 诸如：低成本制备技术、结构与其性能关系、晶粒尺 做了一些展望。 寸的精确控制、实际应用的稳定性、经济性等没有完 关键词：PCVD 制备技术；硅系材料；纳米复合薄膜 全解决[3] 。本文将以硅系纳米复合薄膜材料为重点， 中图分类号：O484.1 文献标识码：A 介绍纳米复合薄膜材料的等离子体化学气相沉积 论文编号：1001-9731 （2004 ）增刊 (PCVD)制备技术。 1 引 言 2 硅系纳米复合薄膜的PCVD 制备技术 以微电子器件为基础的计算机和自动化设备进 纳米复合薄膜的制备方法是多种多样的，一般来 入社会的各个领域，成为发达国家的主要经济支柱之 说，只要把制备常规薄膜的方法进行适当的改进，控 一。微电子器件发展的小型化趋势引导人们关注纳米 制必要的参数就可以获得纳米复合薄膜。在用PCVD 科技，由于纳米电子器件的尺度为纳米级，集成度大 法或其他方法制备薄膜时，薄膜形成与生长的物理过 幅度提高，同时还具有器件结构简单、可靠性强、成 程大致都可以分为四个阶段[4] ，如图1 所示： 本低等诸多优点，应用前景十分诱人，被发达国家和 （a ）核的形成：在最初阶段，外来原子在基底表 国际大公司所重视。因此，世界先进国家都从未来发 面相遇结合在一起成为原子团。只有当原子团达到一 展战略高度重视作为微型器件和纳米技术发展基础 定数量形成“核”后，才能不断吸收新加入的原子而 的纳米材料科学研究[1] 。 稳定地长大形成“岛”。（b ）随着外来原子的增加， 作为纳米材料科学重要分支的纳米复合薄膜是 岛不断长大，进一步发生岛的接合。（c ）形成网络： 指由特征维度尺寸为纳米数量